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本发明公开了一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该方法将SnBr<subgt;2</subgt;和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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