【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体结构，半导体结构可以存在于半导体器件内，包括用于保护导电层的密封层。
技术介绍
1、通常，半导体器件包括导电层。例如，在一些半导体器件中，可以将半导体器件的顶部导电层(例如，顶部金属化层)以适当的方式连接到半导体封装，以保证封装引脚与半导体器件之间的输入/输出(i/o)电信号连续性。这些连接可以通过顶部金属钝化开口在顶部导电层与半导体封装之间实现，该顶部金属钝化开口可以称为pad。pad可以被加工成包含并且包括由专用金属化工艺形成的导电结构，该专用金属化工艺可以称为焊盘金属化(opm)工艺。在半导体器件的半导体制造过程的完成之后并且在半导体器件的封装之前，半导体器件的在其处存在顶部导电层和导电结构的pad可能在诸如电气测试、电晶圆分选(ews)、晶圆运送到组装fab(实现器件封装的晶圆厂)和其他相似或类似类型的过程的若干操作期间在受控环境中保持不受保护。在这些过程中，由于pad保持暴露，在pad处的顶部导电层和导电结构可能被环境污染的存在所腐蚀，环境污染诸如湿气(例如，液滴、湿度等)或污染物(例如，污染物颗粒等)，其可能...
【技术保护点】
1.一种器件，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封层完全填充所述缝隙。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封层部分填充所述缝隙。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电结构还包括：
5.根据权利要求4所述的器件，其中所述密封层位于所述导电结构的所述第三表面上。
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述密封层完全覆盖所述导电结构的所述第三表面。
7.根据权利要求5所述的器件，其中第二开口穿过所述密封层延伸至所述导电结构的所述第三表面，所述开口从所述密封层暴露所述第三表面。>
8.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封层完全填充所述缝隙。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封层部分填充所述缝隙。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电结构还包括：
5.根据权利要求4所述的器件，其中所述密封层位于所述导电结构的所述第三表面上。
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述密封层完全覆盖所述导电结构的所述第三表面。
7.根据权利要求5所述的器件，其中第二开口穿过所述密封层延伸至所述导电结构的所述第三表面，所述开口从所述密封层暴露所述第三表面。
8.根据权利要求4所述的器件，其中：
9.根据权利要求1所述的器件，还包括位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，并且其中所述密封层位于所述第二绝缘层上。
10.根据权利要求1所述的器件，其中：
11.根据权利要求10所述的器件，还包括位于所述绝缘层的所述第四表面上的第二绝缘层。
12.根据权利要求11所述的器件，其中所述密封层位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。
13.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·米拉内西，P·科尔帕尼，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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