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本公开的实施例涉及具有密封层的半导体封装或器件。本公开涉及导电层上的导电结构的实施例，该导电层可以是半导体器件或封装的导电大马士革层。导电大马士革层可以在半导体器件或封装的衬底内。在导电结构的一个或多个侧壁与衬底上的一个或多个绝缘层的一个或...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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