【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更具体地，涉及一种在单元区域的外围处包括电阻元件的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、在包括单元区域(其中形成有高耐压mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管))的半导体器件中，可以在围绕单元区域的外围区域中提供电阻元件，以改进外围区域的耐压。
2、这里，公开了下面列出的技术。
3、[专利文献1]日本未审专利申请公开号2019-102705
4、例如，专利文献1公开了一种半导体器件，该半导体器件在其中形成有诸如igbt(绝缘栅极双极晶体管)的半导体元件的中心区域周围包括作为电阻元件的电阻场板。
技术实现思路
1、由于在外围区域中需要例如1000伏以上的高耐压，因此电阻元件形成在例如1微米以上的绝缘膜上。因此，在半导体衬底和绝缘膜之间出现大的台阶。电阻元件通过沉积诸如多晶硅膜的导电膜并且还通过对该导电膜进行图案化来形成。在该图案化中，由于对导电膜执行各向异性蚀刻过程，因此在由半导体衬底和绝缘膜组成的台阶部分处...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括其中形成有MOSFET的单元区域和在平面图中围绕所述单元区域的外围区域，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设图案不与所述MOSFET和所述电阻元件中的每一者电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二虚设图案经由第三绝缘膜形成在所述第一虚设图案的侧表面上，所述侧表面形成在比所述第一绝缘膜高的位置处。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一虚设图案和所述第二虚设图案不与所述MOSFET和所述电阻元件中的每一者电连接。
5.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括其中形成有mosfet的单元区域和在平面图中围绕所述单元区域的外围区域，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设图案不与所述mosfet和所述电阻元件中的每一者电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二虚设图案经由第三绝缘膜形成在所述第一虚设图案的侧表面上，所述侧表面形成在比所述第一绝缘膜高的位置处。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一虚设图案和所述第二虚设图案不与所述mosfet和所述电阻元件中的每一者电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设图案的厚度比所述第一绝缘膜的厚度薄。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻元件包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括其中形成有mosfet的单元区...
【专利技术属性】
技术研发人员：大原隆裕，新井耕一，山下泰典，八岛秀幸，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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