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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：半导体衬底；第一绝缘膜，形成在外围区域中的半导体衬底的上表面上，以在平面图中围绕单元区域；以及电阻元件，形成在第一绝缘膜上，以在平面图中围绕单元区域。具有比第一绝缘膜的厚度薄的厚度的...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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