【技术实现步骤摘要】
本专利技术说明书所公开的技术涉及半导体技术。
技术介绍
1、例如专利文献1所示那样的半导体装置，具体而言，绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，即，igbt)在n-型半导体的基板的上表面具有周期性地形成的沟槽构造(具体而言，浅的栅极沟槽)。在该栅极沟槽的侧面及底面形成氧化膜层，并且以被氧化膜层包围的方式设置埋入层，该埋入层例如为多晶硅。该栅极沟槽内的埋入层与栅极电极连接。
2、另外，上述igbt具有与上述栅极沟槽相邻，并且周期性地形成于基板的上表面的其它沟槽构造(具体而言，深的栅极沟槽)。在该栅极沟槽的侧面及底面形成氧化膜层，并且以被氧化膜层包围的方式设置埋入层。另外，该栅极沟槽内的埋入层与其它栅极电极连接。
3、另外，上述igbt具有在与栅极沟槽的相反侧与其它栅极沟槽相邻，并且形成于基板的上表面的大于或等于1个沟槽构造(具体而言，深的哑沟槽)。在哑沟槽的侧面及底面形成氧化膜层，并且以被氧化膜层包围的方式设置埋入层。哑沟槽内的埋入层与发射极电极连接。
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【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：
2.一种半导体装置，其具有：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1、3至5中任一项所述的半导体装置，还具有：
7.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，还具有：
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求6至...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：
2.一种半导体装置，其具有：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1、3至5中任一项所述的半导体装置，还具有：
7.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，还具有：
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求6至8中任...
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