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本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。对饱和电流的增加进行抑制。半导体装置具有：第1沟槽，其设置为从第1杂质层的上表面到达第1半导体层内；第2沟槽，其设置为从第2杂质层的上表面到达比第1半导体层的下表面更靠下方处；第1导电型的第2半导...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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