一种插拔式六硼化镧电子源结构制造技术

本技术公开了一种插拔式六硼化镧电子源结构，涉及电子源技术领域，包括陶瓷基座，所述陶瓷基座的一侧插接有电极杆，所述陶瓷基座的另一侧对称安装有两根支撑杆，两根支撑杆向中心弯曲成一个倒"V"形，所述支撑杆的顶部夹持有石墨加热块，所述石墨加热块的内部设置有六硼化镧阴极。插拔式单晶硼化物阴极，不仅具有优异的发射性能和较长的使用寿命，而且只需插拔即可完成安装和拆卸，使用简单便捷。因此，插拔式单晶LaB<subgt;6</subgt;阴极组件已经成为扫描及透射电镜、高分辨率CT、面板检测、电子束焊机和增材制造等仪器和设备的首选电子源，应用范围日益扩大。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子源，具体涉及一种插拔式六硼化镧电子源结构。

技术介绍

1、场发射尖端阴极近年来发展迅速，受到越来越多的关注。与其他阴极相比，它们具有发射电流密度更高、能耗更低、效率更高、发射响应更快、阴极尺寸更小的优点。传统尖端通常使用钼或硅制备。但它们的功函数(s i：4.14ev；mo：4.4ev)高，发射电流密度有限，抗中毒能力弱，发射稳定性不好。

2、lab6具有典型稀土金属六硼化物的结构特点，使其有很多优异的物理化学性能，如逸出功低、化学稳定性好、熔点高、硬度大、耐离子轰击能力强等，因此作为良好的热阴极材料。lab6被广泛应用在高亮度点状电子源设备，例如sem、tem等电镜和电子束蒸镀设备的电子发射枪中。相较于传统的钨阴极，lab6电子发射性能高，使用寿命长，因此，lab6具有非常良好的发展前景；同时现有单晶硼化物阴极在使用的过程中不便于安装和拆卸。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种插拔式六硼化镧电子源结构，解决以下技术问题：相较于传统的钨阴极，lab6电子发射性能高，使用寿命长，因此，lab6具有非常良好的发展前景，同时现有单晶硼化物阴极在使用的过程中不便于安装和拆卸。

2、本技术的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种插拔式六硼化镧电子源结构，包括陶瓷基座，所述陶瓷基座的一侧插接有电极杆，所述陶瓷基座的另一侧对称安装有两根支撑杆，两根支撑杆向中心弯曲成一个倒"v"形，所述支撑杆的顶部夹持有石墨加热块，所述石墨加热块的内部设置有六硼化镧阴极。

4、作为本技术进一步的方案：所述陶瓷基座的中心处开设有排气孔。

5、作为本技术进一步的方案：所述六硼化镧阴极通过电化学腐蚀装置加工得到，尖端直径小于1微米。

6、作为本技术进一步的方案：所述电化学腐蚀装置包括放置座，所述放置座的顶部固定安装有支架，所述支架的顶部固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴固定安装有固定架，所述固定架的底部固定安装有六硼化镧阴极，所述固定架的下方且位于放置座上安装有不锈钢环。

7、作为本技术进一步的方案：所述不锈钢环内填充有蚀刻溶液，所述蚀刻溶液由盐酸：酒精：去离子水混合而成。

8、本技术的有益效果：

9、插拔式单晶硼化物阴极，不仅具有优异的发射性能和较长的使用寿命，而且只需插拔即可完成安装和拆卸，使用简单便捷。因此，插拔式单晶lab6阴极组件已经成为扫描及透射电镜、高分辨率ct、面板检测、电子束焊机和增材制造等仪器和设备的首选电子源，应用范围日益扩大。

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【技术保护点】

1.一种插拔式六硼化镧电子源结构，其特征在于，包括陶瓷基座（2），所述陶瓷基座（2）的一侧插接有电极杆（1），所述陶瓷基座（2）的另一侧对称安装有两根支撑杆（4），两根支撑杆（4）向中心弯曲成一个倒"V"形，所述支撑杆（4）的顶部夹持有石墨加热块（5），所述石墨加热块（5）的内部设置有六硼化镧阴极（6）。

2.根据权利要求1所述的一种插拔式六硼化镧电子源结构,其特征在于，所述陶瓷基座（2）的中心处开设有排气孔（3）。

3.根据权利要求1所述的一种插拔式六硼化镧电子源结构,其特征在于，所述六硼化镧阴极（6）通过电化学腐蚀装置加工得到，尖端直径小于1微米。

【技术特征摘要】

1.一种插拔式六硼化镧电子源结构，其特征在于，包括陶瓷基座（2），所述陶瓷基座（2）的一侧插接有电极杆（1），所述陶瓷基座（2）的另一侧对称安装有两根支撑杆（4），两根支撑杆（4）向中心弯曲成一个倒"v"形，所述支撑杆（4）的顶部夹持有石墨加热块（5），所述石墨加热块（5）的内部设置有六硼化...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏斌，郑磊，朱荣帅，杨韬，方琦，
申请(专利权)人：安徽科昂新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：