半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的第二侧面接触，第四绝缘体的一部分中形成到达第二绝缘体的开口，且第五绝缘体通过该开口与第二绝缘体接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片、模块以及电子设备。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、成像装置及电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

1、近年来，已对半导体装置进行开发，主要对lsi、cpu(central processing unit：中央处理器)及gpu(graphics processing unit：图形处理器)等处理器以及存储器进行开发。处理器是包括从半导体晶片分开的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.一种半导体装置，包括：

3.一种半导体装置，包括：

4.一种半导体装置，包括：

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，

7.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，

8.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.一种半导体装置，包括：

3.一种半导体装置，包括：

4.一种半导体装置，包括：

5.根据权利要求1-4中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，浅见良信，石山贵久，仓田求，德丸亮，石原典隆，野中裕介，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：