【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，特别涉及一种限流环驱动结构和气相沉积设备。
技术介绍
1、在使用气相沉积设备执行外延生长工艺中，基片温度需要上升至1700℃左右。因此为了提供升温效率，需要在基片周围设置一圈完整的用于保温以及优化流场的限流环，以保证工艺温度及流场均匀。并且，在工艺完成取放盘或取放片时，限流环需要移动以暴露取片口，使传送臂能够伸入反应腔。因此需要一个驱动结构来驱动限流环移动。
2、当前技术中，一般会使用两根支撑轴连接限流环，通过一个或两个电机驱动限流环移动。然而，使用一个电机驱动时需要设置连杆结构并做相应的控制，占用空间较大且电机负载大，成本高；使用两个电机驱动时，除了更大的空间占用和更高的成本，同步问题也很难解决。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种限流环驱动结构和气相沉积设备，通过使用至少2个同步运动的气缸驱动限流环移动，节约了空间以及成本。
2、为了实现以上目的，本技术通过以下技术方案实现：
3、一种限流环驱动结构，用于气相沉积设备，所述限流环位于所述气相沉积设备内，所述限流环驱动结构包括：
4、n个气缸，每一气缸包括第一端口和第二端口，其中n≥2；
5、传动组件，连接所述气缸和所述限流环；
6、n对气路，每对气路包括第一气路和第二气路，其中，一对气路中的第一气路和第二气路分别连接一个所述气缸的第一端口和第二端口，所述第一气路和所述第二气路择一的向所述气缸通入气体；
7、2n个第一流
8、可选地，还包括第一主气路和第二主气路，所述第一主气路连接n对气路中的第一气路，所述第二主气路连接n对气路中的第二气路。
9、可选地，还包括两个第二流量调节件，分别设置于所述第一主气路和所述第二主气路，用于调节所述第一主气路和所述第二主气路中的气体流量。
10、可选地，还包括控制器，用于控制所述第一气路或所述第二气路向所述气缸通入气体的流通时间。
11、可选地，所述控制器还用于控制所述第一流量调节件以调节所述第一气路和所述第二气路中的气体流量。
12、可选地，所述第一流量调节件包括调节手柄，通过所述调节手柄调节所述第一气路和所述第二气路中的气体流量。
13、可选地，所述第一流量调节件为节流阀。
14、可选地，n对气路中的所述第一气路的管路长度相同，和/或，n对气路中的所述第二气路的管路长度相同。
15、可选地，n个所述气缸的第一端固定于所述气相沉积设备的反应腔的底壁外侧。
16、可选地，所述传动组件包括：
17、环形支撑板，所述限流环固定于所述环形支撑板上；
18、连接板，与所述气缸的第二端固定连接；
19、n个支撑杆，所述气相沉积设备的反应腔的底壁设有n个通孔，每一所述支撑杆穿过一个所述通孔后固定连接所述环形支撑板与所述连接板。
20、可选地，所述环形支撑板的下表面设有n个连接块，每一所述连接块与一个所述支撑杆固定连接。
21、可选地，所述支撑杆与所述反应腔的底壁之间采用波纹管密封连接，所述波纹管连接所述反应腔的底壁和所述连接板。
22、可选地，n个所述气缸沿所述限流环的周向均匀分布。
23、一种气相沉积设备，用于执行sic外延工艺，包括：
24、反应腔；
25、基座组件，设置于所述反应腔的底部，用于承载基片；
26、进气装置，用于向所述反应腔供应反应气体，对基片进行薄膜沉积处理；
27、抽气装置，用于对所述反应腔进行抽真空处理；
28、限流环，环绕所述基座组件；
29、如上文所述的限流环驱动结构，用于驱动所述限流环移动。
30、可选地，所述反应腔的侧壁设有传片口，所述限流环驱动结构驱动所述限流环升降，当所述限流环的上表面低于所述传片口位置时，通过所述传片口传送基片，当所述限流环的上表面高于所述传片口位置时，所述限流环用于稳定所述反应腔内的气流。
31、与现有技术相比，本技术具有如下优点：
32、本技术提供的限流环驱动结构，使用2个及以上气缸，每个气缸采用两路气路驱动，且每路气路均设置第一流量调节件以调节气路中的气体流量，从而使各个气缸驱动所述限流环同步运动。相比于现有技术中采用一个或两个电机驱动限流环移动的方式，本技术的限流环驱动结构采用至少两个独立运动的气缸来驱动限流环，具有节约空间以及成本的优点。
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1.一种限流环驱动结构，用于气相沉积设备，所述限流环位于所述气相沉积设备内，其特征在于，所述限流环驱动结构包括：
2.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，还包括第一主气路和第二主气路，所述第一主气路连接N对气路中的第一气路，所述第二主气路连接N对气路中的第二气路。
3.如权利要求2所述的限流环驱动结构，其特征在于，还包括两个第二流量调节件，分别设置于所述第一主气路和所述第二主气路，用于调节所述第一主气路和所述第二主气路中的气体流量。
4.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，还包括控制器，用于控制所述第一气路或所述第二气路向所述气缸通入气体的流通时间。
5.如权利要求4所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述控制器还用于控制所述第一流量调节件以调节所述第一气路和所述第二气路中的气体流量。
6.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述第一流量调节件包括调节手柄，通过所述调节手柄调节所述第一气路和所述第二气路中的气体流量。
7.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述第一流量调
8.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，N对气路中的所述第一气路的管路长度相同，和/或，N对气路中的所述第二气路的管路长度相同。
9.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，N个所述气缸的第一端固定于所述气相沉积设备的反应腔的底壁外侧。
10.如权利要求9所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述传动组件包括：
11.如权利要求10所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述环形支撑板的下表面设有N个连接块，每一所述连接块与一个所述支撑杆固定连接。
12.如权利要求10所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述支撑杆与所述反应腔的底壁之间采用波纹管密封连接，所述波纹管连接所述反应腔的底壁和所述连接板。
13.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，N个所述气缸沿所述限流环的周向均匀分布。
14.一种气相沉积设备，用于执行SiC外延工艺，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的气相沉积设备，其特征在于，所述反应腔的侧壁设有传片口，所述限流环驱动结构驱动所述限流环升降，当所述限流环的上表面低于所述传片口位置时，通过所述传片口传送基片，当所述限流环的上表面高于所述传片口位置时，所述限流环用于稳定所述反应腔内的气流。
...【技术特征摘要】
1.一种限流环驱动结构，用于气相沉积设备，所述限流环位于所述气相沉积设备内，其特征在于，所述限流环驱动结构包括：
2.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，还包括第一主气路和第二主气路，所述第一主气路连接n对气路中的第一气路，所述第二主气路连接n对气路中的第二气路。
3.如权利要求2所述的限流环驱动结构，其特征在于，还包括两个第二流量调节件，分别设置于所述第一主气路和所述第二主气路，用于调节所述第一主气路和所述第二主气路中的气体流量。
4.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，还包括控制器，用于控制所述第一气路或所述第二气路向所述气缸通入气体的流通时间。
5.如权利要求4所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述控制器还用于控制所述第一流量调节件以调节所述第一气路和所述第二气路中的气体流量。
6.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述第一流量调节件包括调节手柄，通过所述调节手柄调节所述第一气路和所述第二气路中的气体流量。
7.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，所述第一流量调节件为节流阀。
8.如权利要求1所述的限流环驱动结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁伟，黄稳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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