一种超高精度数模混合ＣＭＯＳ可编程时钟延时控制器制造技术

本发明专利技术属于可编程延时器技术领域，具体为一种超高精度数模混合ＣＭＯＳ可编程时钟延时控制器。本发明专利技术首先提出一种新型的超高精度ＣＭＯＳ压控时钟延时器（ＶＣＤ）电路，在此基础上，提出一种基于ＰＩＤ闭环控制的超高精度线性可编程移相器和超高精度数模混合ＣＭＯＳ可编程延时控制器，以实现低成本、低功耗、小体积、稳定、线性、超高精度（１０ｐｓ以下）的可编程延时。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于可编程延时器
，具体涉及一种超高精度数模混合CMOS可编程时钟延时控制器。
技术介绍
超高精度可编程延时器是3D光飞行时间距离图像传感器、单光子保密通讯、激光约束核聚变控制、脉冲激光测距、高速数据采集、精密电子测量、内存老化测试等许多高新科技及系统中的核心器件之一。例如，在基于光飞行时间3D距离图像传感器系统中，传感器控制系统通过控制相机上的参考LED光源在特定时刻发射一定频率范围的光波到被摄物上，经被摄物表面各点反射后的反射光，由相机物镜聚焦后到达CCD或CMOS图像传感器并检出，通过测量图像传感器各像素点的发射光与反射光之间的时间差，就可以计算出被摄物表面各点与相机的距离，从而获得被摄物的3D影像信息。为测量发射光与反射光的时间差，需要对LED光源的发光时钟信号和图像传感器的各像素的电荷传输采集延时时钟信号进行精确地控制。由于光速约为30万公里/秒，光在1cm距离内的往返时间约为60ps，因此，要使3D光飞行时间距离传感器具有1cm的距离精度，必须要求延时器的延时达到60ps以下的超高精度。同时，为了消除或减少信号传输延时、干扰和功耗，需要将延时器电路与图像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高精度ＣＭＯＳ压控时钟延时器，其特征在于：由四个结构参数相同的ＮＭＯＳ管、四个结构参数相同的ＰＭＯＳ管、一个内置的电容（Ｃ）、一个压控电流镜及一个电压比较器组成；其中，第一ＮＭＯＳ管（Ｎ１）的栅极与源极相连并接到第一ＰＭＯＳ管（Ｐ１）的源极和第二ＰＭＯＳ管（Ｐ２）的栅极，连接点记为第三节点（③），第二ＮＭＯＳ管（Ｎ２）的栅极与源极相连并接到第一ＰＭＯＳ管（Ｐ１）的栅极和第二ＰＭＯＳ管（Ｐ２）的源极，连接点记为第四节点（④），从而形成两个相互交叉的电流源（ｉ↓［４］、ｉ↓［５］）；第三ＮＭＯＳ管（Ｎ３）与第三ＰＭＯＳ管（Ｐ３）的源极相连，第四ＮＭＯＳ管（Ｎ４）与第四ＰＭＯＳ管（Ｐ４）的源极...

【技术特征摘要】
1.一种超高精度CMOS压控时钟延时器，其特征在于：由四个结构参数相同的NMOS管、四个结构参数相同的PMOS管、一个内置的电容（C）、一个压控电流镜及一个电压比较器组成；其中，第一NMOS管（N1）的栅极与源极相连并接到第一PMOS管（P1）的源极和第二PMOS管（P2）的栅极，连接点记为第三节点（                                               ），第二NMOS管（N2）的栅极与源极相连并接到第一PMOS管（P1）的栅极和第二PMOS管（P2）的源极，连接点记为第四节点（），从而形成两个相互交叉的电流源（i4、 i5）；第三NMOS管（N3）与第三PMOS管（P3）的源极相连，第四NMOS管（N4）与第四PMOS管（P4）的源极相连，第四NMOS管（N4）与第三PMOS管（P3）的栅极连接至输入时钟（CKI），第三NMOS管（N3）与第四PMOS管（P4）的栅极经反相器连接至输入时钟（CKI），从而形成两个受输入时钟（CKI）控制的电流旁路(i3、 i6)；电容（C）的一端与第一PMOS管（P1）、第三PMOS管（P3）的漏极相连，连接点记为第一节点（），电容（C...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐和根，
申请(专利权)人：徐和根，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]