【技术实现步骤摘要】
本公开涉及具有声耦合介质的传感器装置和相应的制造方法。
技术介绍
1、在许多技术应用、例如触摸屏中，传感器被放置在触敏表面上以检测该表面与用户之间的物理接触。为了确保相应应用的正常运行，触敏表面和传感器之间应有足够的声学耦合。然而通常情况下，所需的声学耦合可能会因触摸敏感表面和传感器之间的空腔、气泡或杂质而受到干扰。传感器装置的制造商和开发商不断努力改进他们的产品。提供具有改进的声耦合和相关制造工艺的传感器装置可能特别被关注。
技术实现思路
1、各个方面涉及一种传感器装置。该传感器装置包括至少一个传感器芯片，至少一个mems结构布置在该至少一个传感器芯片的主表面处，其中该至少一个传感器芯片被设置为发送超声信号和/或接收超声信号。该传感器装置还包括选择性地布置在该至少一个mems结构上的声耦合介质，其中声耦合介质被设置为对要发出的超声波信号从该至少一个mems结构解耦和/或将接收到的超声波信号耦合到至少一个mems结构中。声耦合介质仅部分地覆盖至少一个传感器芯片的主表面。
2、各个方面涉及一种方法。该方法包括提供半导体晶片。该方法还包括在半导体晶片的主表面处形成mems结构，其中相应的mems结构被配置为发送超声信号和/或接收超声信号。该方法还包括选择性地将声耦合介质沉积在mems结构上，其中声耦合介质被设置为对要发出的超声信号从相应mems结构解耦和/或将接收到的超声信号耦合到相应mems结构中。该方法还包括将半导体晶片切单多个传感器芯片，分配给相应传感器芯片的声耦合介
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1.一种传感器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)覆盖小于50％的所述主表面(34)。
3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)居中地布置在所述主表面(34)上，并且所述主表面(34)的外部区域未被所述声耦合介质(18)覆盖。
4.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)在垂直于所述主表面(34)的方向上的厚度在1微米至250微米的范围内。
5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)包括以下至少一项：硅树脂、丙烯酸酯、橡胶类材料、基于硅树脂的材料。
6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)被设置为将所述至少一个MEMS结构(4)至少间接地与触敏结构(16)声耦合，所述触敏结构被附接在所述传感器装置的外平坦表面(46)上。
7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，还包括：
8.根据权利要求6和7所述的传感器装置，其中所述传感器装置的所述外平
9.根据权利要求6和7所述的传感器装置，其中所述传感器装置的所述外平坦表面(46)完全由所述包封材料(44)形成。
10.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，还包括：
11.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，还包括：
12.根据权利要求11所述的传感器装置，其中所述容纳结构(32)包括从所述声耦合介质(18)延伸到所述传感器装置的外表面的凹部。
13.根据权利要求11或12所述的传感器装置，其中所述容纳结构(32)包括至少部分地围绕所述声耦合介质(18)延伸的凹部。
14.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中：
15.根据权利要求11和14所述的传感器装置，其中所述容纳结构(32)包括在所述声耦合介质(18)的分离部分之间延伸的凹部。
16.根据权利要求1至13中任一项所述的传感器装置，其中：
17.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述至少一个传感器芯片(12)包括至少一个电容式微机械超声换能器。
18.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述传感器装置被设置为在500kHz至10MHz的频率范围内工作。
19.一种方法，包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中基于光刻工艺沉积所述声耦合介质(18)。
...【技术特征摘要】
1.一种传感器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)覆盖小于50％的所述主表面(34)。
3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)居中地布置在所述主表面(34)上，并且所述主表面(34)的外部区域未被所述声耦合介质(18)覆盖。
4.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)在垂直于所述主表面(34)的方向上的厚度在1微米至250微米的范围内。
5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)包括以下至少一项：硅树脂、丙烯酸酯、橡胶类材料、基于硅树脂的材料。
6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述声耦合介质(18)被设置为将所述至少一个mems结构(4)至少间接地与触敏结构(16)声耦合，所述触敏结构被附接在所述传感器装置的外平坦表面(46)上。
7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，还包括：
8.根据权利要求6和7所述的传感器装置，其中所述传感器装置的所述外平坦表面(46)由所述包封材料(44)和所述声耦合介质(18)形成。
9.根据权利要求6和7所述的传感器装置，其中所述传感器装置的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·伊利安，C·斯坦纳，H·托伊斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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