【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置。
技术介绍
1、作为减小半导体装置内部的电感的构造，提出了专利文献1所记载的构造。
2、在专利文献1所记载的半导体功率模块(相当于半导体装置)中，正极端子与负极端子平行地配置，并且流过反向的相同电流。其结果，在各端子之间的空间中由电流产生的磁场彼此抵消，因此能够减小电流路径的电感。另外，通过在各端子之间夹设绝缘树脂、绝缘纸或叠层涂层而确保空间。
3、专利文献1：日本特开2015-213408号公报
4、但是，在专利文献1所记载的半导体功率模块中，为了进行绝缘而使绝缘树脂、绝缘纸或叠层涂层夹设于各端子之间，因此作为绝缘部件，需要一定程度的厚度。因此，存在半导体功率模块的自感变大这样的问题。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供能够减小半导体装置的自感的技术。
2、本专利技术涉及的半导体装置具有：绝缘基板，其在上表面形成有电路图案；半导体元件，其搭载于所述电路图案的上表面；以及多个电极端子，它们的一个端部接合于所述电路图案的上表面，多个所述电极端子中的具有彼此相邻的部分的所述电极端子至少在所述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜。
3、专利技术的效果
4、根据本专利技术，由于使厚度比绝缘树脂、绝缘纸及叠层涂层薄的绝缘膜夹设于彼此相邻的电极端子之间，因此能够减小半导体装置的自感。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
7.一种半导体装置的制造方法，其对权利要求4所述的半导体装置进行制造，
8.一种电力变换装置，其具有：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利...
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