【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于温度控制，尤其涉及一种半导体设备及其恒温控制装置。
技术介绍
1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。
2、其中，半导体设置在对应的半导体设备内进行制造或者测试等，半导体设备对温度的稳定性要求非常高，为了达到温度的稳定性，现有的恒温控制装置采用外挂高精度的空调装置，空调内机安装在半导体设备的腔体上方，空调外机安装在厂房的洁净室外部。
3、但是，采用空调装置，其体积大，并且空调的风道长，成本高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体设备的恒温控制装置，旨在解决传统的恒温控制装置存在的体积大和成本高的问题。
2、本专利技术实施例的第一方面提出了一种半导体设备的恒温控制装置，包括：
3、气体混合器，所述气体混合器设置于所述半导体设备的进风口处，所述气体混合器，被配置为将不同流量的气体进行气体混合并输送至所述半导体设备内；
4、温度采集组件，所述温度采集组件设置于所述半导体设备内的目标采样点，被配置为采集所述半导体设备的温度；
5、加热器，所述加热器设置于所述气体混合器的进风口处，所述加热器，被配置为对环境气体进行加热，并将加热后的环境气体输送至所述气体混合器；
6、驱动电路，分别与所述温度采集组件和所述加热器连接，被配置为通过所述温度采集组件获取所述半导体设备的温度数据，并根据所
7、可选地，所述预设温度范围为1℃～3℃。
8、可选地，所述加热器的出风口完全覆盖所述气体混合器的进风口，所述气体混合器的进风气体为加热后的环境气体；
9、或者，所述加热器的出风口覆盖部分所述气体混合器的进风口，所述气体混合器的进风气体包括部分加热后的环境气体和部分未被加热的环境气体。
10、可选地，所述加热器包括：
11、加热器外壳，所述加热器外壳设置有进风口和出风口；
12、加热棒，所述加热棒沿所述加热器外壳的进风口至出风口之间的路径平铺于所述加热器外壳内，所述加热棒受电加热。
13、可选地，所述加热棒为电阻加热棒。
14、可选地，所述温度采集组件包括至少一个温度传感器；
15、所述温度传感器设置于所述半导体设备的腔体内，并获取所述半导体设备对应目标采样点的温度。
16、可选地，所述驱动电路包括：
17、电源模块，与所述加热器连接，根据接收到的电源控制信号输出对应大小的驱动电源至所述加热器；
18、控制器，与所述电源模块和所述温度采集组件连接，被配置为根据所述温度数据输出对应大小的电源控制信号。
19、可选地，所述电源模块包括程控电源或者开关电源电路；
20、所述控制器，还被配置为获取所述电源模块的输出电源，并确定所述加热器的工作状态。
21、可选地，所述控制器复用为所述半导体设备的工控机；
22、所述气体混合器复用为所述半导体设备的风机过滤机组。
23、本专利技术实施例的第二方面提出了一种半导体设备，包括如上所述的半导体设备的恒温控制装置。
24、本专利技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的半导体设备的恒温控制装置包括气体混合器、加热器、温度采集组件和驱动电路，恒温控制时，驱动电路驱动加热器加热流经的环境气体，加热后的环境气体通过气体混合器进行气体混合后输出至半导体设备，同时，驱动电路根据目标采样点的温度进行恒温调节，使得目标采样点达到第一目标温度以及半导体设备达到第二目标温度，第一目标温度大于第二目标温度，通过将目标采样点的温度适当抬高，并利用环境气体作为冷却源，使得半导体设备达到目标温度，简化恒温控制装置和半导体设备的结构和降低设计成本。
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1.一种半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述预设温度范围为1℃～3℃。
3.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述加热器的出风口完全覆盖所述气体混合器的进风口，所述气体混合器的进风气体为加热后的环境气体；
4.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述加热器包括：
5.如权利要求4所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述加热棒为电阻加热棒。
6.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述温度采集组件包括至少一个温度传感器；
7.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述驱动电路包括：
8.如权利要求7所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述电源模块包括程控电源或者开关电源电路；
9.如权利要求7所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述控制器复用为所述半导体设备的工控机；
10.一种半导体设备，其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述预设温度范围为1℃～3℃。
3.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述加热器的出风口完全覆盖所述气体混合器的进风口，所述气体混合器的进风气体为加热后的环境气体；
4.如权利要求1所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述加热器包括：
5.如权利要求4所述的半导体设备的恒温控制装置，其特征在于，所述加热棒为电阻加热棒。
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【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市埃芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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