薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本申请适用于薄膜制造技术领域，提供了一种薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：根据薄膜的理论数据信息和第一模拟数据信息得到薄膜的第一膜厚后，还根据第一膜厚进行以下处理：先根据第一膜厚和待拟合比例值，得到薄膜的第二膜厚，然后根据第二膜厚以及薄膜的光学常数，得到薄膜的第二模拟数据信息，最后根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合，得到薄膜的各个待测点位的第三膜厚，从而，可以在对薄膜的膜厚进行测量时，充分考虑薄膜的各个待测点位的关联性，提高薄膜的膜厚测量的准确性，从而解决因忽略了不同点位之间存在一定关联性，导致薄膜膜厚的测量结果不够准确的问题。膜膜厚的测量结果不够准确的问题。膜膜厚的测量结果不够准确的问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本申请属于薄膜制造
，尤其涉及一种薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]椭圆偏振光谱是一种表面敏感、非破坏性、非侵入性的光学技术，广泛应用于薄层和表面特征。椭圆偏振光谱可以基于线偏振光经过薄膜样品反射后偏振状态发生的改变，通过测量、建模以及拟合获得薄膜的膜厚。
[0003]然而，现有的薄膜膜厚的测量方法，一般将待测薄膜上的多个点位，看成是独立的。对薄膜膜厚进行测量时，先对薄膜的每个点位进行测量、建模，然后针对每个点位分别进行拟合，最终获取每个点位的膜厚。这种针对每个独立的点位的拟合方式，因忽略了不同点位之间存在一定关联性，最终导致薄膜膜厚的测量结果不够准确。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质，可以解决因忽略了不同点位之间存在一定关联性，导致薄膜膜厚的测量结果不够准确的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜膜厚的测量方法，所述方法包括：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述方法包括：针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的理论数据信息；根据所述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第一模型，并计算所述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息；根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚；根据所述第一膜厚和所述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到所述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，所述待拟合比例值用于指示所述各个待测点位的关联性，所述待拟合比例值的初始值为1；根据所述第二膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第二模型，并计算所述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息；根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。2.如权利要求1所述的薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚，包括：在根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述初始膜厚，将所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息的差值最小时对应的所述初始膜厚作为所述第一膜厚。3.如权利要求1所述的薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚，包括：在根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述待拟合比例值，将所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息的差值最小时对应的所述待拟合比例值作为目标拟合比例值；根据所述第二膜厚和所述目标拟合比例值得到所述第三膜厚。4.如权利要求2或3所述的薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述最优化方法包括梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法中的至少一种。5.一种信息处理装置，其特征在于，所述装置包括：理论数据信息获取模块，用于针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩玉永，张雪娜，王帅，洪峰，张宇帆，
申请(专利权)人：深圳市埃芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：