晶圆检测方法和电子设备技术

本申请适用于半导体技术领域，提供了晶圆检测方法和电子设备，其中，晶圆检测方法包括：获取待测晶圆的衍射图，衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度；根据各像素点的光强度，从衍射图中确定目标像素点，以及根据目标像素点和预设检测配置信息，确定衍射图中的检测区域；根据检测区域中各像素点的光强分布情况，确定待测晶圆的检测结果，检测结果用于指示待测晶圆是否检测合格。本申请可以基于待测晶圆的衍射图自动判断待测晶圆是否检测合格，有助于提高晶圆检测效率。于提高晶圆检测效率。于提高晶圆检测效率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检测方法和电子设备


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种晶圆检测方法和电子设备。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
[0003]相关技术中，对晶圆进行检测的过程中，通常是主要以人工判断的方式实现对晶圆进行检测，导致检测效率较低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了晶圆检测方法和电子设备，旨在解决相关技术中，对晶圆进行检测的过程中，通常是主要以人工判断的方式实现对晶圆进行检测，导致检测效率较低的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆检测方法，该方法包括：
[0006]获取待测晶圆的衍射图，衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度；
[0007]根据各像素点的光强度，从衍射图中确定目标像素点，以及根据目标像素点和预设检测配置信息，确定衍射图中的检测区域；
[0008]根据检测区域中各像素点的光强分布情况，确定待测晶圆的检测结果，检测结果用于指示待测晶圆是否检测合格。
[0009]第二方面，本申请实施例提供了一种晶圆检测装置，该装置包括：
[0010]信息获取单元，用于获取待测晶圆的衍射图，衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度；
[0011]区域确定单元，用于根据各像素点的光强度，从衍射图中确定目标像素点，以及根据目标像素点和预设检测配置信息，确定衍射图中的检测区域；
[0012]检测执行单元，用于根据检测区域中各像素点的光强分布情况，确定待测晶圆的检测结果，检测结果用于指示待测晶圆是否检测合格。
[0013]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器中并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述晶圆检测方法的步骤。
[0014]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时实现上述晶圆检测方法的步骤。
[0015]第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在电子设备上运行时，使得电子设备执行上述晶圆检测方法。
[0016]本申请实施例与相关技术相比存在的有益效果是：通过对待测晶圆的衍射图进行分析，确定出衍射图中的检测区域，以及基于衍射图中的检测区域的光强分布情况确定待
测晶圆是否检测合格，可以实现基于待测晶圆的衍射图自动判断待测晶圆是否检测合格，有助于提高晶圆检测效率。
[0017]可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的一种晶圆检测方法的流程示意图；
[0020]图2是本申请实施例提供的衍射图的示意图；
[0021]图3是本申请实施例提供的检测区域与衍射图的关系示意图；
[0022]图4是本申请实施例提供的用于确定检测结果的实现流程图；
[0023]图5是本申请实施例提供的检测区域与光强分布曲线的关系示意图；
[0024]图6A是本申请实施例提供的光强分布曲线的示意图；
[0025]图6B是本申请实施例提供的光强分布曲线与光谱拟合曲线集之间的关系示意图；
[0026]图7A是本申请实施例提供的光强分布曲线的示意图；
[0027]图7B是本申请实施例提供的对光强分布曲线进行倒向处理后的光强分布曲线的示意图；
[0028]图8是本申请实施例提供的用于获取衍射图的实现流程图；
[0029]图9是本申请实施例提供的另一晶圆检测方法的实现流程图；
[0030]图10是本申请实施例提供的晶圆检测装置的结构示意图；
[0031]图11是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0032]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0033]应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0034]还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0035]如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
[0036]另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0038]为了说明本申请的技术方案，下面通过以下实施例来进行说明。
[0039]请参阅图1，本申请实施例提供的晶圆检测方法，可以通过如下步骤101
‑
步骤103实现。
[0040]步骤101，获取待测晶圆的衍射图。
[0041]其中，衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度。实践中，衍射图中的每个像素点的像素值为光强度值。
[0042]这里，上述衍射图通常为X射线衍射图(X Ray Differaction，XRD)。
[0043]在本实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取待测晶圆的衍射图，所述衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度；根据各像素点的光强度，从所述衍射图中确定目标像素点，以及根据所述目标像素点和预设检测配置信息，确定所述衍射图中的检测区域；根据所述检测区域中各像素点的光强分布情况，确定所述待测晶圆的检测结果，所述检测结果用于指示所述待测晶圆是否检测合格。2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述获取待测晶圆的衍射图，包括：通过面阵探测器采集所述待测晶圆的衍射数据，将所述衍射数据的格式转换成二维矩阵格式，得到所述衍射图。3.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述根据各像素点的光强度，从所述衍射图中确定目标像素点，包括：将所述衍射图中的光强度最大的像素点确定为所述目标像素点。4.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述预设检测配置信息包括检测宽度和检测方向；以及所述根据所述目标像素点和预设检测配置信息，确定所述衍射图中的检测区域，包括：将所述衍射图中以目标像素点所在直线为中心线沿检测方向延伸检测宽度所得到的区域，确定为所述检测区域。5.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述根据所述检测区域中各像素点的光强分布情况，确定所述待测晶圆的检测结果，包括：根据所述检测区域中各像素点的光强度，生成所述检测区域的光强分布曲线，其中，所述光强分布曲线上各曲线点的取值为相应曲线点在所述检测区域中对应的多个像素点的光强度的和值，曲线点的坐标与相对应的多个像素点的坐标相适配；生成用于拟合所述光强分布曲线的光谱拟合曲线集，以及根据所述光谱拟合曲线集中各光谱拟合曲线的曲线参数，确定所述待测晶圆的应力参数和/或成分参数，其中，所述检测结果包括所述应力参数和/或成分参数。6.根据权利要求5所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述根据所述检测区域中各像素点的光强度，生成所述检测区域的光强分布曲线，包括：将所述检测区域中的检测方向作为横向，以及将与所述检测方向垂直的方向作为纵向；将对应纵向坐标相同的多个像素点的光强度的和...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市埃芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：