【技术实现步骤摘要】
本专利技术总的来说涉及电子元件。具体而言，本专利技术涉及一种标识芯片版本的元件及方法。
技术介绍
1、在进行芯片改版的过程中，除了修改芯片的金属层中的电路设计，还需要修改芯片版本信息。通常而言，芯片设置有表示芯片版本信息并且可被软件读取的芯片版本信号，每当进行芯片改版时，所述芯片版本信息将被设置为与之前不同的。然而，由于所述芯片版本信号通常与其它的芯片信号共用驱动源，因此当芯片版本信号发生改变时需要重新连线至新驱动源，而当芯片改版所允许改变的金属层与芯片版本信号重新连线需要改变的金属层不一致时，会导致为了改变芯片版本信号引入额外成本。
技术实现思路
1、为至少部分解决现有技术中当芯片改版所需要改变的金属层与芯片版本信号重新连线需要改变的金属层不一致时，会导致为了改变芯片版本信号引入额外成本的问题，本专利技术提出一种标识芯片版本的元件，其布置在芯片上，所述芯片包括多个金属层，其特征在于，所述标识芯片版本的元件包括：
2、tie-h mos管，其布置于连线开关的第一侧；
3、tie-l mos管，其布置于连线开关的第二侧；以及
4、多个连线开关，所述多个连线开关的其中之一布置在所述多个金属层的其中之一上，所述连线开关包括第一和第二开关，其中通过配置所述第一和第二开关的开闭情况以标识芯片版本。
5、在本专利技术一个实施例中规定，所述tie-h mos管被配置为生成高电平信号，以及所述tie-l mos管被配置为生成低电平信号。
7、在本专利技术一个实施例中规定，所述连线开关包括第一至第三金属段，其中通过配置第一金属段与第二金属段的断开或者连接以配置第一开关的开路或者闭合，通过配置第二金属段与第三金属段的断开或者连接以配置第二开关的开路或者闭合。
8、在本专利技术一个实施例中规定，所述金属层包括过孔，其中所述第一金属段和第三金属段与下方的金属层的过孔连接，所述第二金属段与上方的金属层的过孔连接。
9、在本专利技术一个实施例中规定，所述标识芯片版本的元件，包括初始元件以及多个替换元件，其中所述替换元件的所述第一和第二开关的开闭情况是与所述初始元件不同的，并且所述多个替换元件的所述第一和第二开关的开闭情况是各不相同的。
10、本专利技术还提出一种标识芯片版本的方法，其利用所述的标识芯片版本的元件，该方法包括下列步骤：
11、由tie-h mos管和tie-l mos管生成输入信号；以及
12、所述输入信号通过所述多个连线开关并且生成输出信号，其中通过所述输出信号标识芯片版本。
13、在本专利技术一个实施例中规定，所述标识芯片版本的方法还包括下列步骤：
14、在芯片改版时以替换元件替换初始元件或者以所述初始元件替换所述替换元件以变更所述输出信号。
15、在本专利技术一个实施例中规定，所述标识芯片版本的方法还包括下列步骤：
16、在芯片改版时确定允许改变的金属层；以及
17、以在与所述初始元件在所述允许改变的金属层上的第一和第二开关的开闭情况不同的所述替换元件替换所述初始元件以变更所述输出信号。
18、在本专利技术一个实施例中规定，所述标识芯片版本的方法还包括下列步骤：
19、在所述芯片上布置多个初始元件，其中所述初始元件的数量等于预计芯片改版次数的数量。
20、本专利技术至少具有如下有益效果：本专利技术针对现有技术中当芯片改版所需要改变的金属层与芯片版本信号重新连线需要改变的金属层不一致时，会导致为了改变芯片版本信号引入额外成本的问题，提出一种标识芯片版本的元件及方法，其中标识芯片版本的元件在每个金属层布置连线开关，在进行芯片改版时可以通过变更允许改变的金属层上的连线开关的第一和第二开关的开闭情况来变更输出信号，因此不需要变更其它的金属层，避免引入额外成本。
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1.一种标识芯片版本的元件，其布置在芯片上，所述芯片包括多个金属层，其特征在于，所述标识芯片版本的元件包括：
2.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述TIE-H MOS管被配置为生成高电平信号，以及所述TIE-L MOS管被配置为生成低电平信号。
3.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述TIE-H MOS管布置于所述连线开关的第二侧，以及所述TIE-L MOS管布置于所述连线开关的第一侧。
4.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述连线开关包括第一至第三金属段，其中通过配置第一金属段与第二金属段的断开或者连接以配置第一开关的开路或者闭合，通过配置第二金属段与第三金属段的断开或者连接以配置第二开关的开路或者闭合。
5.根据权利要求4所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述金属层包括过孔，其中所述第一金属段和第三金属段与下方的金属层的过孔连接，所述第二金属段与上方的金属层的过孔连接。
6.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，包括初始元件以及多个替换元
7.一种标识芯片版本的方法，其特征在于，利用权利要求1-6之一所述的标识芯片版本的元件，该方法包括下列步骤：
8.根据权利要求7所述的标识芯片版本的方法，其特征在于，还包括下列步骤：
9.根据权利要求8所述的标识芯片版本的方法，其特征在于，还包括下列步骤：
10.根据权利要求9所述的标识芯片版本的方法，其特征在于，还包括下列步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种标识芯片版本的元件，其布置在芯片上，所述芯片包括多个金属层，其特征在于，所述标识芯片版本的元件包括：
2.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述tie-h mos管被配置为生成高电平信号，以及所述tie-l mos管被配置为生成低电平信号。
3.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述tie-h mos管布置于所述连线开关的第二侧，以及所述tie-l mos管布置于所述连线开关的第一侧。
4.根据权利要求1所述的标识芯片版本的元件，其特征在于，所述连线开关包括第一至第三金属段，其中通过配置第一金属段与第二金属段的断开或者连接以配置第一开关的开路或者闭合，通过配置第二金属段与第三金属段的断开或者连接以配置第二开关的开路或者闭合。
5.根据权利要求4所述的标识芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇明，李文昊，倪永良，李扬，管良花，
申请(专利权)人：小华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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