减少芯片机械应力效应的电阻布局方法技术

技术编号:40788309 阅读:32 留言:0更新日期:2024-03-28 19:19
本发明专利技术涉及一种减少芯片机械应力效应的电阻布局方法,包括在电阻匹配阵列之上覆盖一层或多层金属作为支撑结构;所述支撑结构为金属层次;每个所述支撑结构覆盖一个或多个电阻。引入金属层次均匀叠加覆盖在电阻上面,增强电阻区域的机械韧性,减少应力梯度,对冲机械应力对电阻阻值的影响,从而达到更好的阻值匹配目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片版图设计,尤其涉及一种减少芯片机械应力效应的电阻布局方法


技术介绍

1、集成电路设计中,电阻按照匹配方式布局摆放以达到匹配的目的,由于机械应力的存在,这种布局方式使电阻器件很容易遭受芯片受到机械应力影响导致匹配电阻的失配,当失配超过一定程度就会使电路功能超出设计spec范围,导致电路功能的失效。


技术实现思路

1、为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题,本专利技术的任务是提供一种减少芯片机械应力效应的电阻布局方法,包括在电阻匹配阵列之上覆盖一层或多层金属作为支撑结构。

2、进一步地,所述支撑结构为金属层次。

3、进一步地,每个所述支撑结构覆盖一个或多个电阻。

4、进一步地,每个支撑结构覆盖所述电阻匹配阵列中的一列或一行电阻。

5、进一步地,所述金属层次为多层金属堆叠结构,从下至上包括第二层金属至第n层金属,n为大于2的自然数。

6、进一步地,所述金属层次包括2层堆叠的金属。

7、进一步地,所述金属层次包括一层金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减少芯片机械应力效应的电阻布局方法,其特征在于,包括在电阻匹配阵列之上覆盖一层或多层金属作为支撑结构。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述支撑结构为金属层次。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述支撑结构覆盖一个或多个电阻。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个支撑结构覆盖所述电阻匹配阵列中的一列或一行电阻。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属层次为多层金属堆叠结构,从下至上包括第二层金属至第n层金属,n为大于2的自然数。

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述...

【技术特征摘要】

1.一种减少芯片机械应力效应的电阻布局方法,其特征在于,包括在电阻匹配阵列之上覆盖一层或多层金属作为支撑结构。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述支撑结构为金属层次。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述支撑结构覆盖一个或多个电阻。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个支撑结构覆盖所述电阻匹配阵列中的一列或一行电阻。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张宝金
申请(专利权)人:小华半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1