【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体电路技术，特别涉及一种低压差线性稳压器(ldo)芯片外部功率管电流检测电路。
技术介绍
1、目前低压差线性稳压器(ldo)广泛应用于各类芯片中。当芯片系统的功耗较高时，出于成本、工艺兼容性以及芯片散热等考虑会将ldo的功率管置于芯片外部，以达到更佳的整体系统实现效果。与此同时，为了满足外置功率管本身对输出电流与功耗耗散的要求以及整体系统的功能安全，对功率管的输出电流的检测就不可或缺。当外置功率管输出电流达到某一限值时，就应当触发整体芯片的一系列保护操作。
2、对于外置的功率管，目前比较通用的检测方法是通过串联一个高精度的小电阻，通过检测小电阻两端的电压差来检测电流的大小。电阻两端的压差由于电阻阻值很小一般也比较小，通常需要pga(可编程增益放大器)进行放大再和参考电压进行比较或者送至adc(模数转换器)等，如图1所示；或者将电阻两端的压差先转换为电流，电流再流过大电阻转为为电压再进行放大，如图2所示。该现有检测方法，都需要两个及以上的运算放大器或者比较器，甚至adc，占用一定的系统资源，而且无法检测上电过程中的负载瞬态大电流，需要额外的电路做处理。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，能精确有效检测低压差线性稳压器上电过程中的芯片外部功率管的负载电流，而且仅需要采用一个运算放大器，结构简单。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其
3、所述过流检测电阻r1，用于串联在低压差线性稳压器芯片外部功率管的负载电流回路中；
4、一个比较电阻r2，其一端短接过流检测电阻r1的电流入端，其另一端短接运算放大器iamp的正输入端；
5、另一个比较电阻r2，其一端短接过流检测电阻r1的电流出端，其另一端短接运算放大器iamp的负输入端；
6、所述第五pmos管pm5及第六pmos管pm6的源端均接工作电压vdd；
7、所述第五pmos管pm5栅端、漏端及第六pmos管pm6的栅端、第五nmos管nm5的漏端短接；
8、所述第五nmos管nm5的栅端接所述运算放大器iamp的输出端；
9、所述第五nmos管nm5的源端接所述运算放大器iamp的负输入端；
10、所述第六nmos管nm6源端及第七nmos管nm7源端均接地；
11、所述第六nmos管nm6漏端、栅端及第七nmos管nm7栅端短接参考电流iref；
12、所述第七nmos管nm7漏端接第六pmos管pm6的漏端，并作为电流检测信号输出端。
13、较佳的，所述低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路还包括反相器；
14、所述反相器，其输入端接第六pmos管pm6的漏端，其输出端作为电流检测信号输出端out；
15、所述反相器的输入端电压小于工作电压vdd的一半时，输出高电平；
16、所述反相器的输入端电压大于工作电压vdd的一半时，输出低电平。
17、较佳的，所述过流检测电阻r1的阻值为在0.1～1ω。
18、较佳的，r2＝ic*r1/iref；ic为设定反转电流。
19、较佳的，ic＝1a，r1＝0.05ω，iref＝1ua，r2＝50k。
20、较佳的，所述运算放大器iamp包括第一pmos管pm1、第二pmos管pm2、第三pmos管pm3、第四pmos管pm4、第一nmos管nm1、第二nmos管nm2、第三nmos管nm3及第四nmos管nm4；
21、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2、第三pmos管pm3及第四pmos管pm4源端均接工作电压vdd；
22、第二pmos管pm2的栅端、漏端及第三pmos管pm3的栅端、第二nmos管nm2的漏端短接；
23、第二nmos管nm2及第一nmos管nm1的栅端短接，用于接偏置电压vbias；
24、第三nmos管nm3的栅端、漏端及第四nmos管nm4的栅端、第三pmos管pm3的漏端短接；
25、第三nmos管nm3及第四nmos管nm4的源端均接地；
26、第四nmos管nm4的漏端及第四pmos管pm4的漏端短接作为运算放大器iamp的输出端，用于接第五nmos管nm5的栅端；
27、第一pmos管pm1的栅端、漏端及第四pmos管pm4的栅端、第一nmos管nm1的漏端短接；
28、第一nmos管nm1的源端作为运算放大器iamp的负输入端，用于接第五nmos管nm5的源端；
29、第二nmos管nm2的源端作为运算放大器iamp的正输入端。
30、本专利技术的低压差线性稳压器(ldo)芯片外部功率管电流检测电路，能精确有效检测低压差线性稳压器(ldo)上电过程中的芯片外部功率管的负载电流，而且仅需要采用一个运算放大器，结构简单。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，其包括过流检测电阻(R1)、运算放大器(IAMP)、第五PMOS管(PM5)、第六PMOS管(PM6)、第五NMOS管(NM5)、第六NMOS管(NM6)、第七NMOS管(NM7)及两个相同的比较电阻(R2)、；
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，其包括过流检测电阻(r1)、运算放大器(iamp)、第五pmos管(pm5)、第六pmos管(pm6)、第五nmos管(nm5)、第六nmos管(nm6)、第七nmos管(nm7)及两个相同的比较电阻(r2)、；
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器芯片外部功率管电流检测电路，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：董大伟，杨建华，屠卫洁，
申请(专利权)人：小华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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