在存储器设备的编程期间的预充电方案制造技术

技术编号:40597984 阅读:18 留言:0更新日期:2024-03-12 22:01
存储器设备包括具有源极侧和漏极侧的至少一个存储器块以及布置在多个字线中的多个存储器单元。字线被布置在多个能够独立地被编程和可擦除子块中。控制电路被配置为对选定子块的存储器单元进行编程并且确定该至少一个存储器块内的位置,并且确定至少一个未选定子块的编程条件。该控制电路还被配置为在包括预充电过程的多个编程循环中对该选定子块中的至少一个字线进行编程。该控制电路基于该选定子块在该存储器块内的该位置和该至少一个未选定子块的该编程条件中的至少一者,从该源极侧或该漏极侧对多个沟道进行预充电。

【技术实现步骤摘要】

1.本公开整体涉及用于对存储器设备的存储器单元进行编程的技术,该存储器设备包括被划分成子块的多个存储器块。2.相关技术半导体存储器广泛用于各种电子设备,诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如,电池)时,非易失性存储器也允许存储和保留信息。nand存储器设备包括具有布置在多个字线和多个沟道中的存储器单元的阵列的存储器块。在一些存储器块中,字线被划分成可以彼此独立地被编程和擦除的两个或更多个子块。在每个子块内,在从子块的一侧到子块的相对侧的方向上顺序地对字线进行编程。在许多存储器设备中,为了努力使编程干扰最小化,在从子块的源极侧朝向子块的漏极侧的第一方向上对上部子块中的字线进行编程,并且在从子块的漏极侧朝向子块的源极侧的相反的第二方向上对下部子块中的字线进行编程。


技术介绍


技术实现思路

1、本公开的一个方面涉及一种对存储器设备进行编程的方法。该方法包括制备包括至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种对存储器设备进行编程的方法,所述方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的对所述存储器设备进行编程的方法,所述方法进一步包括以下步骤:不管所述选定子块在所述存储器块内的所述位置如何,并且不管所述至少一个未选定子块的所述编程条件如何,在从所述漏极侧朝向所述源极侧的方向上顺序地对所述多个子块中的所述选定子块的所述字线进行编程。

3.根据权利要求1所述的对所述存储器设备进行编程的方法,其中所述多个编程循环中的每个编程循环包括验证操作,所述验证操作包括将通过电压VREAD施加到所述存储器块中的多个未选定字线。

4.根据权利要求3所述的对所述存储器设备...

【技术特征摘要】

1.一种对存储器设备进行编程的方法,所述方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的对所述存储器设备进行编程的方法,所述方法进一步包括以下步骤:不管所述选定子块在所述存储器块内的所述位置如何,并且不管所述至少一个未选定子块的所述编程条件如何,在从所述漏极侧朝向所述源极侧的方向上顺序地对所述多个子块中的所述选定子块的所述字线进行编程。

3.根据权利要求1所述的对所述存储器设备进行编程的方法,其中所述多个编程循环中的每个编程循环包括验证操作,所述验证操作包括将通过电压vread施加到所述存储器块中的多个未选定字线。

4.根据权利要求3所述的对所述存储器设备进行编程的方法,其中在每个编程循环的所述验证操作结束时,仅在选定字线的一侧上,所述未选定字线中的至少一些未选定字线在朝向所述存储器块的所述源极侧或所述存储器块的所述漏极侧的方向上开始一个接一个地从所述通过电压vread放电。

5.根据权利要求4所述的对所述存储器设备进行编程的方法,其中所述选定字线的所述未选定字线一个接一个地放电的所述一侧是所述选定字线的所述预充电过程开始的同...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·郭HP·陈H·秦G·梁杨翔
申请(专利权)人:闪迪技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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