【技术实现步骤摘要】
本文所描述的本公开的实施例涉及存储器装置和存储器控制器以及包括该存储器装置和存储器控制器的电子装置，更具体地，涉及一种用于参考存储器装置的温度信息执行再训练的技术。
技术介绍
1、随着最近诸如动态随机存取存储器(dram)的高性能以及大容量存储器装置的趋势，存储器装置的操作频率在快速增加。另外，随着移动装置需要低功率特性，已采用了区分写操作所需的写时钟wck和读操作所需的读数据选通信号rdqs的频率的标准。
2、随着存储器装置的操作速度增加，校正存储器装置的数据完整性变得越来越困难。因此，不仅在存储器装置的初始化期间，而且在存储器装置的操作期间也可能需要存储器装置的训练。
3、此外，在存储器装置的初始化中通常执行使用fifo(先入先出)的精细训练，在存储器装置的操作期间可使用粗略且快速的间隔振荡器训练。然而，在fifo训练期间测量的延迟时间(例如，twck2dqi和twck2dqo)与在间隔振荡器训练期间测量的延迟时间之间不可避免地存在误差(即，偏移)，并且误差可根据温度变化而变化。然而，当在不应用由于温度变化而...
【技术保护点】
1.一种电子装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在所述存储器装置的初始化中，所述片上系统执行第一训练，使得所述写时钟的延迟基于所述第一延迟时间被调节，或者使得所述写数据信号的延迟基于所述第二延迟时间被调节，并且
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为：
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为在从所述片上系统接收的间隔振荡器开始命令和间隔振荡器停止命令之间的时间段中获得所述第一计数值和所述第二计数值中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在所述存储器装置的初始化中，所述片上系统执行第一训练，使得所述写时钟的延迟基于所述第一延迟时间被调节，或者使得所述写数据信号的延迟基于所述第二延迟时间被调节，并且
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为：
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为在从所述片上系统接收的间隔振荡器开始命令和间隔振荡器停止命令之间的时间段中获得所述第一计数值和所述第二计数值中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置包括：
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为响应于从所述片上系统接收的模式寄存器读命令输出所述校正的第一计数值和所述校正的第二计数值。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述片上系统包括：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一间隔振荡器包括第一多个反相器，并且所述第二间隔振荡器包括第二多个反相器，
9.根据权利要求2所述的电子装置，其中，当所述第二训练被执行时，基于所述第三延迟时间调节所述写时钟的延迟和基于所述第四延迟时间调节所述写数据信号的延...
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