【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器，尤其涉及一种存储阵列及其互联结构、操作方法。
技术介绍
1、磁阻随机存取存储器(magnetoresistive random access memory，mram)是其存储单元使用磁性状态存储信息的存储器。通过某一mram，可以存储非易失性存储器并且可以在存储器的使用寿命内多次写入单元。
2、为了实现mram高低阻态的转变，通常由存储单元以及晶体管组成1t1r结构，通过改变晶体管的电流方向，可以将存储单元写成低阻态或者高阻态。
3、在传统1t1r-mram存储器件中，晶体管的宽度必须做得足够大才能保证供电能力，双finger结构晶体管是一种通用的实现大供电能力的实现方式，但是现有的双finger1t1r结构的mram读写电路有以下技术缺陷：晶体管提供了大供电能力的同时，增大了晶体管的单位面积，从而限制了mram的存储单元密度。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种存储阵列，无需改变晶体管的单管供电能力，能够实现在保持晶体管供...
【技术保护点】
1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列还包括：多条字线，各列晶体管的栅极与对应字线连接。
3.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储单元是MRAM、PCRAM、RRAM、FRAM中的任意一种类型的存储单元。
4.一种存储阵列的互联结构，其特征在于，所述互联结构包括：
5.根据权利要求4所述的存储阵列的互联结构，其特征在于，所述第一位线、所述第二位线、所述第一源线和所述第二源线均位于每条所述有源区上方，沿字线延伸方向平行排列，垂直方向不存在重
【技术特征摘要】
1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列还包括：多条字线，各列晶体管的栅极与对应字线连接。
3.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储单元是mram、pcram、rram、fram中的任意一种类型的存储单元。
4.一种存储阵列的互联结构，其特征在于，所述互联结构包括：
5.根据权利要求4所述的存储阵列的互联结构，其特征在于，所述第一位线、所述第二位线、所述第一源线和所述第二源线均位于每条所述有源区上方，沿字线延伸方向平行排列，垂直方向不存在重叠区域。
6.根据权利要求5所述的存储阵列的互联结构，其特征在于，所述第一源线和所述第二源线位于每条所述有源区的边缘区域；
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琨琨，何世坤，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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