本发明专利技术提供了一种自旋轨道矩存储单元、其制作方法及磁性随机存储器。该存储单元包括：基底，基底的一侧具有底电极；磁隧道结，磁隧道结位于底电极远离基底的一侧；轨道层，轨道层位于磁隧道结远离基底的一侧。与现有技术相比，由于传统的自旋轨道矩存储单元中磁隧道结位于轨道层远离底电极的一侧，因此在刻蚀磁隧道结时，需要精确控制刻蚀过程停止的膜层位置，对刻蚀要求很高，本方案中，通过将轨道层设置在磁隧道结远离底电极的一侧，使得在刻蚀磁隧道结时，优先对轨道层进行刻蚀，再对位于轨道层一侧的磁隧道结进行刻蚀，从而能够有效避免刻蚀损坏轨道层，保证器件的电性、磁性以及稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种自旋轨道矩存储单元、其制作方法及磁性随机存储器。
技术介绍
1、自旋轨道转矩磁阻式随机存储器(spin-orbit torque magnetic random accessmemory，简称sot-mram)是利用自旋流产生的自旋轨道力矩效应作为信息写入方式，采用三端式磁性隧道结结构，将读取和写入路径分开，使得写入速度更快，并且增强了读取数据的稳定性。
2、其中，传统的sot-mram制造中，mtj使用顶钉扎(tp)的结构，因此对刻蚀的要求很高。在刻蚀过程中需要精确控制刻蚀停止的膜层位置，以减少刻蚀损伤对sot轨道层的影响。且由于sot轨道层及其上层功能层的厚度均仅有不到10纳米，工艺窗口过窄，刻蚀难度大，容易使得tp-mtj的电性、磁性和退火稳定性较差。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种自旋轨道矩存储单元、其制作方法及磁性随机存储器，以解决现有技术中刻蚀难度大，使得刻蚀损伤对sot轨道层的影响较大的问题。
>2、为了实现上述目本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种自旋轨道矩存储单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，所述基底的具有所述底电极的一侧表面为第一表面，
5.根据权利要求3所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，所述顶电极包括层叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述轨道层的一侧，所述第一导电层和所述第二导电层的材料不同。
6.根据权利要求1所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种自旋轨道矩存储单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，所述基底的具有所述底电极的一侧表面为第一表面，
5.根据权利要求3所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，所述顶电极包括层叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述轨道层的一侧，所述第一导电层和所述第二导电层的材料不同。
6.根据权利要求1所述的自旋轨道矩存储单元，其特征在于，所述磁隧道结在所述基底上的正投影为第一投影，所述轨道层在所述基底上的投影为第二投影，所述第一投影的面积小于等于所述第二投影的面积。
7.根据权利要求3所述的自旋轨道矩存储单元，...
【专利技术属性】
技术研发人员：申力杰，刘恩隆，王莎莎，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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