【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件。
技术介绍
1、为提高半导体结构的集成度，可以在同一封装结构内放置一个以上的存储芯片。hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的存储芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个存储芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了存储芯片的密度，并实现了大容量和高带宽。
2、然而，随着堆叠层数的增加，hbm的性能有待提升。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，至少有利于提高半导体结构的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：逻辑芯片，具有供电端口；存储模块，位于所述逻辑芯片的上表面，所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，且所述供电布线层与所述供电信号线电连接；所述供电布线层朝向或远离所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；所述供电布线层被露出的端面与所述供电端口电连接。
3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，其中，制造方法包括：提供逻辑芯片，所述逻辑芯片具有供电端口；提供存储模块，所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片；每个所述存储芯片具有供
4、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体器件，包括：基板；逻辑芯片，设置在所述基板上，具有供电端口；存储模块，位于所述逻辑芯片的上表面，所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，且所述供电布线层与所述供电信号线电连接；所述供电布线层朝向或远离所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；所述供电布线层被露出的端面与所述供电端口电连接。
5、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：多个存储芯片的堆叠方向平行于逻辑芯片上表面，即多个存储芯片与逻辑芯片的距离相同，因此，多个存储芯片的通信延迟一致，且有利于提高运行速率。此外，存储芯片内的供电布线层可以将供电信号线引出至存储芯片外，并通过焊接凸块与供电端口相连，从而实现有线供电，以提高供电的稳定性。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储芯片均具有一个所述供电布线层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层包括电源布线层和接地布线层，所述电源布线层包括多个电源布线，所述接地布线层包括多个接地布线；
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，至少两个相邻的所述存储芯片相键合，并构成芯片组；
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层朝向所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二无线
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层远离所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，至少一个所述存储芯片具有信号布线层，所述信号布线层与所述逻辑芯片电连接；所述信号布线层位于所述存储芯片靠近所述逻辑芯片的一侧，所述供电信号线位于所述存储芯片远离所述逻辑芯片的一侧。
15.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
16.一种半导体器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储芯片均具有一个所述供电布线层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层包括电源布线层和接地布线层，所述电源布线层包括多个电源布线，所述接地布线层包括多个接地布线；
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，至少两个相邻的所述存储芯片相键合，并构成芯片组；
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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