半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，半导体结构包括：逻辑芯片，具有第一无线通信部；多个存储模块，沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与所述存储模块粘接；所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述存储芯片具有第二无线通信部，所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线通信；多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层沿着所述存储芯片的有源面向所述逻辑芯片延伸。本公开实施例至少可以增加存储芯片的堆叠层数，且提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件。

技术介绍

1、为提高半导体结构的集成度，可以在同一封装结构内放置一个以上的存储芯片。hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的存储芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个存储芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了存储芯片的密度，并实现了大容量和高位宽。

2、然而，hbm内存储芯片的堆叠层数难以进一步增加，且堆叠层数的增加还会影响hbm的性能。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，至少有利于增加存储芯片的堆叠层数，且提高半导体结构的性能。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：逻辑芯片，具有第一无线通信部；多个存储模块，沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一胶膜的厚度与所述存储模块的厚度之比为1:75～1:95。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一胶膜在所述第一方向上的厚度为4μm～6μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述胶粘部覆盖所述存储模块的侧面边缘以及侧面中心。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一胶膜的厚度与所述存储模块的厚度之比为1:75～1:95。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一胶膜在所述第一方向上的厚度为4μm～6μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述胶粘部覆盖所述存储模块的侧面边缘以及侧面中心。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二胶膜，位于所述存储模块远离所述逻辑芯片的一侧或靠近所述逻辑芯片的一侧；且所述第二胶膜横跨多个所述存储模块，并与多个所述存储模块粘接。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：