【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆切割加工，尤其涉及一种晶圆颗粒分离方法。
技术介绍
1、对于芯片强度一般的die(晶粒)，当研磨至超薄厚度(即35μm及以下)时，使用隐切加冷扩工艺后，芯片在分离时容易发生die开裂现象，这是由于超薄芯片die强度较弱，冷扩时切割道分离导致材料拉扯，从而造成die开裂。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种晶圆颗粒分离方法，提高超薄晶圆颗粒分离质量。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种晶圆颗粒分离方法，包括步骤：
4、基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶圆；
5、按照所述目标厚度对所述切割后的晶圆进行研磨，得到研磨后的晶圆，并在所述研磨后的晶圆贴附晶片黏结薄膜，得到贴膜后的晶圆；
6、对所述贴膜后的晶圆进行冷扩分离，得到晶圆颗粒。
7、本专利技术的有益效果在于：基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，按照目标厚度对切割后的晶圆进行研磨，并在研磨后的晶圆贴附晶片黏结薄膜，对贴膜后的晶圆进行冷扩分离，得到晶圆颗粒，与现有隐切工艺分离晶圆颗粒相比，通过先刀片切割，再研磨，再冷扩，可以保证晶圆的稳定分离，且保证分离出的芯片侧面无侧崩，冷扩分离时不会出现die开裂现象，实现了超薄晶圆颗粒的分离，从而提高了超薄晶圆颗粒分离质量。
【技术保护点】
1.一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶圆包括：
3.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，将所述预设厚度设置为35μm～45μm。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶圆之前包括：
5.根据权利要求4所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述在晶圆的正面贴附研磨保护膜，得到带有研磨保护膜的晶圆之后包括：
6.根据权利要求2所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述按照切割深度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶圆包括：
7.根据权利要求6所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，将所述预设清洗时间设置为100s～120s；
8.根据权利要求5所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶
9.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述对所述贴膜后的晶圆进行冷扩分离，得到晶圆颗粒包括：
10.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，将所述预设冷扩温度设置为-15℃～-20℃；
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶圆包括：
3.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，将所述预设厚度设置为35μm～45μm。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述基于目标厚度使用刀片切割机对待切割晶圆进行切割，得到切割后的晶圆之前包括：
5.根据权利要求4所述的一种晶圆颗粒分离方法，其特征在于，所述在晶圆的正面贴附研磨保护膜，得到带有研磨保护膜的晶圆之后包括：
6.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，何瀚，王灿，陈健，
申请(专利权)人：成都佰维存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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