【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件，特别是涉及一种包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管vjfet。
技术介绍
1、新一代半导体器件(例如结型场效应晶体管(jfet))的技术开发目的在于通过缩小器件的几何尺寸来改进电子器件特性并且降低成本。虽然通过缩小器件的几何尺寸可以降低成本，但是当增加每单位面积的器件功能时，必须满足各种各样的折衷和挑战。例如，区域特定的导通状态电阻ronxa与受例如电击穿能力影响的可靠性要求之间的折衷要求设计优化。
2、因此，存在针对改进的结型场效应晶体管的需要。
技术实现思路
1、本公开的示例涉及竖向结型场效应晶体管vjfet。vjfet包括在半导体本体中沿着第一横向方向延伸的多个台面区。vjfet进一步包括沿着第一横向方向延伸的多个沟槽结构。多个台面区和多个沟槽结构被沿着第二横向方向交替地布置。多个沟槽结构包括栅极接触材料，栅极接触材料被经由多个沟槽结构的底部侧或者侧壁中的至少一个电连接到半导体本体中的第一导电类型的栅极区。多个沟槽结构的宽度满足如下的i)或者ii)中的至少一个：i)与多个沟槽结构中的更中心的部分中相比，多个沟槽结构中的被沿着第二横向方向布置在最外的至少一个的宽度更小；或者ii)与多个沟槽结构中的更中心的部分中相比，沿着第一横向方向上的端部部分，多个沟槽结构中的至少一些的宽度更小。沿着第一横向方向的端部部分的延伸大于沿着第二横向方向多个沟槽结构中的邻近的沟槽结构之间的间距。
2、本公开的另一示例涉及一种用于制造竖向结型场效应晶体
3、本领域技术人员在阅读以下详细描述时以及在查看随附附图时将认识到附加的特征和优点。
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1.一种竖向结型场效应晶体管VJFET(100)，包括：
2.根据前项权利要求所述的VJFET(100)，其中宽度(w0…w4)跨所述多个沟槽结构(106)中的被沿着第二横向方向(x2)布置在最外的n个沟槽结构而减小，其中n是范围从2到100的整数。
3.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中所述多个沟槽结构(106)中的至少一个的宽度(w0…w4)是恒定的，并且所述多个沟槽结构(106)中的至少一个的数量是范围从2到100的整数。
4.根据前述两项权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中沿着第二横向方向(x2)所述多个沟槽结构(106)中的邻近的沟槽结构之间的间距(p)是恒定的。
5.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中所述多个沟槽结构(106)中的至少一个或者至少一些的宽度(w0…w4)在所述多个沟槽结构(106)中的更中心的部分(1062)中的宽度(w0…w4)的10％到95％的范围内。
6.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中与至少
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中端部部分(1061)中的宽度(w0…w4)沿着第一横向方向(x1)连续减小。
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中关于沿着第一横向方向(x1)的端部部分(1061)的延伸(l)的至少80％，端部部分(1061)中的宽度(w0…w4)在更中心的部分(1062)中的宽度(w0…w4)的10％到100％的范围内。
9.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中所述多个沟槽结构(106)中的至少一些的端面(112)上的顶视图是线形的、弯曲的或者线形端面分段的序列。
10.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中与所述多个沟槽结构(106)中的中心部分中相比，针对被沿着第二横向方向(x2)布置在最外的沟槽结构(106)中的至少一个，竖向沟槽深度(t)更小。
11.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中与所述多个沟槽结构(106)中的至少一些中的更中心的部分(1062)中相比，在端部部分(1061)中竖向沟槽深度(t)更小。
12.根据前项权利要求所述的VJFET(100)，进一步包括沟槽侧壁注入掺杂轮廓，其中沟槽侧壁注入掺杂轮廓的导电类型等于作为所述多个台面区(102)的一部分的沟道区的导电类型，并且其中与所述多个沟槽结构(106)中的中心部分中相比，针对沟槽结构(106)中的被沿着第二横向方向(x2)布置在最外的至少一个，沟槽侧壁注入掺杂轮廓的竖向深度(t)更小；和/或与所述多个沟槽结构(106)中的至少一些中的更中心的部分(1062)中相比，在端部部分(1061)中沟槽侧壁注入掺杂轮廓的竖向深度(t)更小。
13.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中半导体本体(104)包括SiC半导体衬底，并且端部部分(1061)直接邻接包括边缘终止结构的边缘终止区域(1083)。
14.根据前述权利要求中的任何一项所述的VJFET(100)，其中栅极流道线部分沿着第一横向方向(x1)直接在沟槽结构(106)中的至少一个上延伸，栅极流道线部分被电连接到所述多个沟槽结构(106)中的至少一个中的栅极接触材料。
15.一种用于制造竖向结型场效应晶体管VJFET(100)的方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种竖向结型场效应晶体管vjfet(100)，包括：
2.根据前项权利要求所述的vjfet(100)，其中宽度(w0…w4)跨所述多个沟槽结构(106)中的被沿着第二横向方向(x2)布置在最外的n个沟槽结构而减小，其中n是范围从2到100的整数。
3.根据前述权利要求中的任何一项所述的vjfet(100)，其中所述多个沟槽结构(106)中的至少一个的宽度(w0…w4)是恒定的，并且所述多个沟槽结构(106)中的至少一个的数量是范围从2到100的整数。
4.根据前述两项权利要求中的任何一项所述的vjfet(100)，其中沿着第二横向方向(x2)所述多个沟槽结构(106)中的邻近的沟槽结构之间的间距(p)是恒定的。
5.根据前述权利要求中的任何一项所述的vjfet(100)，其中所述多个沟槽结构(106)中的至少一个或者至少一些的宽度(w0…w4)在所述多个沟槽结构(106)中的更中心的部分(1062)中的宽度(w0…w4)的10％到95％的范围内。
6.根据前述权利要求中的任何一项所述的vjfet(100)，其中与至少90％的所述多个沟槽结构(106)中的更中心的部分(1062)中相比，沿着第一横向方向(x1)上的端部部分(1062)，至少90％的所述多个沟槽结构(106)的宽度(w0…w4)更小。
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的vjfet(100)，其中端部部分(1061)中的宽度(w0…w4)沿着第一横向方向(x1)连续减小。
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的vjfet(100)，其中关于沿着第一横向方向(x1)的端部部分(1061)的延伸(l)的至少80％，端部部分(1061)中的宽度(w0…w4)在更中心的部分(1062)中的宽度(w0…w4)的10％到100％的范围内。
9.根据前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·韦伯，B·费舍尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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