【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示装置。
技术介绍
1、液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器已被广泛用作显示装置。近来,用于使用微尺寸的微发光二极管(led)制造高分辨率显示装置的技术已受到相当程度的关注。可以通过在基板上布置数十万个led来制造微led显示器,这些led是具有例如100μm或更小的尺寸的微发光元件。与现有的lcd或oled显示器相比,每个微led用作显示器的子像素并且可以具有高效率、高质量和高分辨率的特性。
2、具体地,在微led的情况下,发光效率随着芯片尺寸的减小而减小。这种现象是由于当制造微led尺寸的芯片时发生的侧壁蚀刻损坏导致的。侧壁蚀刻损坏引发防止电子-空穴对正常复合的非发光接合。
技术实现思路
1、因此,本公开涉及一种高密度和超小型显示装置,其依据微发光元件的发射颜色来校正由于侧壁蚀刻损坏的偏差导致的每种颜色的发光效率的差异。
2、为了实现这些目的和其它优点并且根据本公开的目的,如本文所实施和广泛描述的,一种显示装置包括至少一个像素,其中
...【技术保护点】
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域包括所述第一微发光元件的边缘区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素包括:
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一微发光元件位于所述第二微发光元件和所述第三微发光元件上,并且
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述光出射面为所述第一微发光元件的暴露表面,所述第二微发光元件和所述第三微发光元件位于所述第一微发光元件的所述暴露表面上。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二微发光元件
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域包括所述第一微发光元件的边缘区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素包括:
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一微发光元件位于所述第二微发光元件和所述第三微发光元件上,并且
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述光出射面为所述第一微发光元件的暴露表面,所述第二微发光元件和所述第三微发光元件位于所述第一微发光元件的所述暴露表面上。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二微发光元件和所述第三微发光元件位于所述第一微发光元件...
【专利技术属性】
技术研发人员:金政勋,
申请(专利权)人:LX半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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