【技术实现步骤摘要】
本申请属于功率器件，尤其涉及一种集成沟道二极管的碳化硅器件及其制备方法、芯片。
技术介绍
1、碳化硅（sic）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。目前，sic已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。sic金氧半场效晶管（metal-oxide- semiconductorfield-effecttransistor，mosfet）属于新型的功率半导体器件，由于碳化硅材料具有较高的击穿电场，较高的饱和漂移速度，因此，碳化硅mosfet具有高击穿电压和高频特性。
2、在一些应用场合中，sicmosfet器件的性能已经可以与si基igbt相比拟，然而，在电压等级较高的条件下，碳化硅mosfet由于缺少双极载流子的电导调制效应，导通电阻相比于硅igbt更大，导通损耗也更多。虽然较小的输入电容和输出电容提高了碳化硅mosfet的开关速度，降低了开关损耗。 而且，传统碳化硅mosfet的pn结体二极管开启电压高，有反向恢复电荷，续流损耗大，而且电子空穴复合产生的能量...
【技术保护点】
1.一种集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述集成沟道二极管的碳化硅器件包括：
2.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述栅极介质层和所述虚栅介质层相对设置，且所述源极层形成于所述栅极介质层与所述虚栅介质层之间，以与所述第一JFET区接触。
3.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述第一JFET区的宽度至少为所述第二JFET区的宽度的2倍。
4.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述栅极介质层和所述虚栅介质层之间的源极层与所述第二JFET区相对。
<...【技术特征摘要】
1.一种集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述集成沟道二极管的碳化硅器件包括：
2.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述栅极介质层和所述虚栅介质层相对设置，且所述源极层形成于所述栅极介质层与所述虚栅介质层之间，以与所述第一jfet区接触。
3.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述第一jfet区的宽度至少为所述第二jfet区的宽度的2倍。
4.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述栅极介质层和所述虚栅介质层之间的源极层与所述第二jfet区相对。
5.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述第一jfet区和所述第二jfet区内n型掺杂离子的掺杂浓度大于所述n型漂移区内n型掺杂离子的掺杂浓度。
6.如权利要求1所述的集成沟道二极管的碳化硅器件，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张婷，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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