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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种集成沟道二极管的碳化硅器件及其制备方法、芯片，其中，第一JFET区位于第二JFET区上，且均形成于第一P型体区和第二P型体区之间，第一JFET区的掺杂浓度小于第二JFET区的掺杂浓度。栅极介质层形成于第...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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