【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
1、随着集成电路向超大规模集成电路发展，集成电路内部的电路密度越来越大，所包含的元件数量也越来越多，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线。
2、为了满足元件缩小后的互连线需求，两层及两层以上的多层金属互连线的设计成为超大规模集成电路技术常用的一种方法。目前，金属层与衬底间的导通是通过接触孔结构实现的。
3、接触孔结构的形成目的是在有源区形成金属接触，通常的做法是在有源区的介质层内形成接触孔，在接触孔内填充连接层，利用连接层实现接触孔上下之间的金属层之间的连接关系。
4、目前在形成的连接层的过程中由于使用化学剂的缘故，会在连接层的表面存有残留物，这种残留物影响形成在连接层表面上的材料层的质量，从而导致最终形成的半导体器件性能差。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，以提升半导体器件的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理采用的气体包括氮气和/或氢气。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理的温度范围为200℃至400℃。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理的时间为1min至10min。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述连接层的材料为钴或者钨或者铜。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理采用的气体包括氮气和/或氢气。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理的温度范围为200℃至400℃。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理的时间为1min至10min。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述连接层的材料为钴或者钨或者铜。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成初始连接层的步骤，包括：在所述基底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成接触孔，所述接触孔的底部暴露出所述基底上的导电层表面；在所述接触孔内以及所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑祖迪，吴玉萍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。