具有热量集中电极的热保护金属氧化物压敏电阻制造技术

技术编号：40593695 阅读：4 留言：0更新日期：2024-03-12 21:55

本发明专利技术公开了一种具有热量集中电极的热保护金属氧化物压敏电阻。热保护金属氧化物压敏电阻(TMOV)装置包括：金属氧化物压敏电阻(MOV)芯片；设置在MOV芯片的第一侧的第一电极和设置在MOV芯片的第二侧的第二电极，第二电极具有形成在其中的凹槽部分；设置在第二电极上的介质阻挡部；连接到第一电极的第一引线；电连接到介质阻挡部的第二引线；以及热熔断体(TCO)元件，其具有电连接到介质阻挡部上的第二引线的第一端和电连接到第二电极的凹槽部分的第二端。

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【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及电路保护装置领域。更具体地，本公开涉及热保护金属氧化物压敏电阻(thermally protected metal oxide varistor)，其具有适于集中热量以便于快速断开热熔断体(thermal cutoff)的电极。

技术介绍

1、金属氧化物压敏电阻(mov)是在电子电路中提供瞬态电压抑制(transientvoltage suppression)的电压依赖性非线性装置。mov在经受低压时具有高电阻并且在经受高压时具有低电阻。在与受保护的电路部件并联连接时，如果在电路中出现高瞬态电压，则mov可以将电压箝位到安全水平。因此，mov吸收了能量，否则该能量可能会损坏受保护的部件。

2、与传统mov相关联的缺点在于：当经受高局部电流时，传统mov很容易被电击穿(electrical punch-through)，这可能导致过度加热及后续燃烧。例如，如果发生异常过电压状况，mov可能过热并且可能经历热失控和/或电击穿，由此热气羽流可能会使mov外表面上的电极破裂。为了解决此问题，已经开发出热保护mov(tmov)装置。参照图1a和图1b，示出了根据现有技术的tmov装置10的前透视图和后透视图。tmov装置10包括由具有上述电压依赖性非线性电阻特性的材料形成的mov芯片12。tmov装置10还包括被设置在mov芯片12相对两侧的第一导电电极14a和第二导电电极14b，以及导电的第一引线15和第二引线16，以便于tmov装置10在电路内的电连接。第一引线15直接连接到mov芯片12后侧的第一电极14a

3、在正常操作期间，tmov装置10将以常规mov装置的方式操作，并且如果被连接的电路中出现高瞬态电压，则将电压箝位到安全水平。然而，在tmov装置10中出现过热状况时，tco元件19将熔化并分离，从而阻止电流流过tmov装置10以防止热失控和电击穿。灾难性故障(例如，燃烧)的风险由此得以减轻。

4、与上述类型的tmov装置相关联的缺点在于：如果发生过电压状况，这种装置可能会以非均匀的方式受热。也就是说，mov芯片的热量可能局限在远离tco连接到tmov装置的电极地方的区域。因此，tco可能受热较慢，并且tmov装置在tco熔化之前可能经历极度加热、热失控和电击穿。

5、正是关于这些以及其他考虑，本专利技术的改进会是有用的。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化形式介绍在下文的详细描述中进一步描述的精选概念。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键或必要特征，也不旨在协助确定所要求保护的主题的范围。

2、根据本公开的示例性实施例的热保护金属氧化物压敏电阻(tmov)装置可以包括：金属氧化物压敏电阻(mov)芯片；设置在mov芯片的第一侧的第一电极和设置在mov芯片的第二侧的第二电极，其中，第二电极具有形成在其中的凹槽部分；介质阻挡部，其设置在第二电极上；第一引线，其连接到第一电极；第二引线，其电连接到介质阻挡部；以及热熔断体(tco)元件，其具有电连接到介质阻挡部上的第二引线的第一端和电连接到第二电极的凹槽部分的第二端。

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【技术保护点】

1.一种热保护金属氧化物压敏电阻(TMOV)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述第二电极的凹槽部分比所述第二电极的周围部分更薄。

3.根据权利要求2所述的TMOV装置，其中，所述第二电极的凹槽部分的厚度在1.32毫米至4.33毫米的范围内，并且所述第二电极的周围部分的厚度在1.6毫米至4.8毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述凹槽部分为圆形。

5.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述凹槽部分为环形。

6.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述凹槽部分为矩形。

7.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述TCO元件由导电材料形成，并且适于在达到预定温度时熔化并分离。

8.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述介质阻挡部防止所述第二引线与所述第二电极之间的直接电连接。

9.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述第一电极具有形成在其中的凹槽部分，并且其中所述第一引线连接到所述第一电极的凹槽部分。

11.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述介质阻挡部由陶瓷形成。

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【技术特征摘要】

1.一种热保护金属氧化物压敏电阻(tmov)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述第二电极的凹槽部分比所述第二电极的周围部分更薄。

3.根据权利要求2所述的tmov装置，其中，所述第二电极的凹槽部分的厚度在1.32毫米至4.33毫米的范围内，并且所述第二电极的周围部分的厚度在1.6毫米至4.8毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述凹槽部分为圆形。

5.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述凹槽部分为环形。

6.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述凹槽部分为矩形。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵龙，颜健，刘树英，禤柱全，
申请(专利权)人：东莞令特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：

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