具有热量集中电极的热保护金属氧化物压敏电阻制造技术

本发明专利技术公开了一种具有热量集中电极的热保护金属氧化物压敏电阻。热保护金属氧化物压敏电阻(TMOV)装置包括：金属氧化物压敏电阻(MOV)芯片；设置在MOV芯片的第一侧的第一电极和设置在MOV芯片的第二侧的第二电极，第二电极具有形成在其中的凹槽部分；设置在第二电极上的介质阻挡部；连接到第一电极的第一引线；电连接到介质阻挡部的第二引线；以及热熔断体(TCO)元件，其具有电连接到介质阻挡部上的第二引线的第一端和电连接到第二电极的凹槽部分的第二端。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及电路保护装置领域。更具体地，本公开涉及热保护金属氧化物压敏电阻(thermally protected metal oxide varistor)，其具有适于集中热量以便于快速断开热熔断体(thermal cutoff)的电极。

技术介绍

1、金属氧化物压敏电阻(mov)是在电子电路中提供瞬态电压抑制(transientvoltage suppression)的电压依赖性非线性装置。mov在经受低压时具有高电阻并且在经受高压时具有低电阻。在与受保护的电路部件并联连接时，如果在电路中出现高瞬态电压，则mov可以将电压箝位到安全水平。因此，mov吸收了能量，否则该能量可能会损坏受保护的部件。

2、与传统mov相关联的缺点在于：当经受高局部电流时，传统mov很容易被电击穿(electrical punch-through)，这可能导致过度加热及后续燃烧。例如，如果发生异常过电压状况，mov可能过热并且可能经历热失控和/或电击穿，由此热气羽流可能会使mov外表面上的电极破裂。为了解决此问题，已经开发出热保护mov(tmov)装置。参照图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种热保护金属氧化物压敏电阻(TMOV)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述第二电极的凹槽部分比所述第二电极的周围部分更薄。

3.根据权利要求2所述的TMOV装置，其中，所述第二电极的凹槽部分的厚度在1.32毫米至4.33毫米的范围内，并且所述第二电极的周围部分的厚度在1.6毫米至4.8毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述凹槽部分为圆形。

5.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述凹槽部分为环形。

6.根据权利要求1所述的TMOV装置，其中，所述凹槽部分为矩形。...

【技术特征摘要】

1.一种热保护金属氧化物压敏电阻(tmov)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述第二电极的凹槽部分比所述第二电极的周围部分更薄。

3.根据权利要求2所述的tmov装置，其中，所述第二电极的凹槽部分的厚度在1.32毫米至4.33毫米的范围内，并且所述第二电极的周围部分的厚度在1.6毫米至4.8毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述凹槽部分为圆形。

5.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述凹槽部分为环形。

6.根据权利要求1所述的tmov装置，其中，所述凹槽部分为矩形。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵龙，颜健，刘树英，禤柱全，
申请(专利权)人：东莞令特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：