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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供基底，在基底上形成初始连接层；平坦化初始连接层，在基底上形成连接层；对连接层的表面进行热处理；对连接层的表面进行热处理能够将连接层表面的残留物去除；提升连接层的表面洁净度，这样后续在连接层上...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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