【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及用于管理策略存储器单元可靠性的设备、系统及方法。
技术介绍
1、存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维护其数据(例如，主机数据、错误数据等)且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态随机存取存储器(sdram)及晶闸管随机存取存储器(tram)等。非易失性存储器可通过在未被供电时留存所存储数据来提供持久数据并且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram))、电阻式随机存取存储器(rram)及磁阻式随机存取存储器(mram)，例如自旋力矩转移随机存取存储器(stt ram)等。
2、存储器装置可耦合到主机(例如，主机计算装置)以存储数据、命令及/或指令供主机在计算机或电子系统操作时使用。举例来说，在计算或其它电子系统的操作期间，可在主机与存储器装置之间传送数据、命令及/或指令。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，响应于所述一或多个位指示不停用所述翻转操作，通过对所述一组存储器单元随机执行所述翻转操作来执行所述预充电操作。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置经配置以根据计算快速链路(CXL)协议来操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括执行错误校正操作，其中所述错误校正操作的执行致使所述一或多个位指示停用所述翻转操作。
5.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述错误校正操作包括将数个不同数据模式写入到所述一组存储器单元。
6.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述错误校正操作包括从所述一组存储器单元读取数个不同数据模式。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述一组存储器单元是一行存储器单元。
8.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述所接收信令与非用户命令相关联。
9.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在激活所述一组存储器单元之后且在对所述一组存储器单
10.一种设备，其包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述处理装置用以，响应于所述一或多个位指示不停用所述翻转操作，基于所述翻转操作的随机选择来确定是否执行所述翻转操作。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述处理装置用以，响应于确定执行所述翻转操作，反转存储在所述一组存储器单元中的数据值。
13.根据权利要求11所述的设备，其中所述处理装置用以使用所述经反转数据值对所述一组存储器单元执行所述预充电操作。
14.根据权利要求10至13中任一权利要求所述的设备，其进一步包括铁电场效应晶体管(FeFET)存储器装置。
15.根据权利要求10至13中任一权利要求所述的设备，其进一步包括动态随机存取存储器(DRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)或电阻式随机存取存储器(ReRAM)装置或其任一组合。
16.一种系统，其包括：
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述处理装置用以：
18.根据权利要求16至17中任一权利要求所述的系统，其中所述处理装置用以：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，响应于所述一或多个位指示不停用所述翻转操作，通过对所述一组存储器单元随机执行所述翻转操作来执行所述预充电操作。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置经配置以根据计算快速链路(cxl)协议来操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括执行错误校正操作，其中所述错误校正操作的执行致使所述一或多个位指示停用所述翻转操作。
5.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述错误校正操作包括将数个不同数据模式写入到所述一组存储器单元。
6.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述错误校正操作包括从所述一组存储器单元读取数个不同数据模式。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述一组存储器单元是一行存储器单元。
8.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述所接收信令与非用户命令相关联。
9.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在激活所述一组存储器单元之后且在对所述一组存储器单元进行预充电之前读...
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