一种Zn基有机配位纳米颗粒、光刻胶组合物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种Zn基有机配位纳米颗粒、光刻胶组合物及其制备方法与应用，该纳米颗粒为金属有机一维重复排列链状结构，结构通式为[ZnX<subgt;2</subgt;(CH<subgt;3</subgt;COO)Y]<subgt;n</subgt;，其中，X选自苯甲酸根或间甲基苯甲酸根，Y选自有机胺类配体，n为聚合度，n大于等于1。以该Zn基有机配位纳米颗粒可以组成光刻胶组合物，并用于中紫外、电子束、极紫外光刻，获得高质量的曝光图案，因此，本发明专利技术的Zn基有机配位纳米颗粒具有显著的应用潜力和价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻胶，特别是涉及zn基有机配位纳米颗粒、光刻胶组合物及其制备方法与应用。

技术介绍

1、光刻是指在一定能量作用下，通过光刻胶，将掩模版上的图形转移到基片上的技术，是芯片制造的核心。在集成电路制造过程中，光刻成本占总成本的三分之一甚至更多；光刻尺寸的大小和光刻质量，很大程度上影响了芯片的性能。随着光刻技术的不断发展，光源线宽不断降低，13.5nm的极紫外光源曝光技术逐渐成为7nm以下光刻节点的主要选择。

2、光刻胶是一种感光材料，其主要作用是将芯片设计图形从掩膜版转移到基片上。在这一过程中，光刻胶在光的照射下发生化学反应，引起溶解速率的变化。随着光刻工艺中曝光波长的不断变小，与之配套的光刻胶材料也随之变化。根据感光波长不同，光刻胶可以分为g线光刻胶、i线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶和13.5nm极紫外(euv)光刻胶。

3、极紫外光刻技术的光源功率低、光源转换效率低，因此，以往以c、o等元素为主的的有机聚合物光刻胶和分子玻璃光刻胶由于光子吸收率低、灵敏度低不再适用。为了提高光刻胶的光子吸收率，具有较高光吸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Zn基有机配位纳米颗粒，其特征在于，所述纳米颗粒为金属有机一维重复排列链状结构，结构通式为[ZnX2(CH3COO)Y]n，其中，X选自苯甲酸根或间甲基苯甲酸根，Y选自有机胺类配体，所述纳米颗粒的尺寸为1nm～4nm，n为聚合度，n大于等于1，所述的有机胺类配体选自N-甲基哌啶、N-甲基吡咯烷、环己亚胺或甲基吡咯烷。

2.一种Zn基有机配位纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一有机配体为苯甲酸或间甲基苯甲酸，所述第二有机配体选自N-甲基哌啶、N-甲基吡咯烷、环己亚胺或甲基吡咯烷。

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【技术特征摘要】

1.一种zn基有机配位纳米颗粒，其特征在于，所述纳米颗粒为金属有机一维重复排列链状结构，结构通式为[znx2(ch3coo)y]n，其中，x选自苯甲酸根或间甲基苯甲酸根，y选自有机胺类配体，所述纳米颗粒的尺寸为1nm～4nm，n为聚合度，n大于等于1，所述的有机胺类配体选自n-甲基哌啶、n-甲基吡咯烷、环己亚胺或甲基吡咯烷。

2.一种zn基有机配位纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一有机配体为苯甲酸或间甲基苯甲酸，所述第二有机配体选自n-甲基哌啶、n-甲基吡咯烷、环己亚胺或甲基吡咯烷。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述锌的金属盐、所述第一有机配体、所述第二有机配体的摩尔比为(0.2～1):(0.4～1):(0.3～1)。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述锌的金属盐、所述第一有机配体、所述第二有机配体的摩尔比为1:(3～5):(2～5)。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述加热搅拌的温度范围为50℃～80℃，时间为10h～40h。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，去除溶剂的方法为真空旋蒸法，温度为20℃～80℃，真空旋蒸的压力为20mbar～60mbar，所述真空旋蒸的时间为30min～60min。

8.一种zn基有机配位纳米颗粒，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏，何向明，陶佩佩，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：