【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及计算机，具体涉及一种芯片性能及功耗分析方法、装置及相关设备。
技术介绍
1、现有技术在芯片生产制造初期对芯片性能分析时，需要大量硅后数据支撑判断，需要在芯片生产制造初期投入较多资源，但大量测试数据时效性很差；而目前在硅前的测试程式完善度和覆盖率不够高。因此如何在保证时效性的前提下，降低芯片生产制造初期对芯片性能分析的资源投入，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种芯片性能分析方法、装置及相关设备，以在保证时效性的前提下，降低芯片生产制造初期对芯片性能分析的资源投入。
2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：
3、本申请实施例提供芯片性能分析方法，包括：
4、构建用于模拟待分析芯片标准单元的标准单元模型；
5、通过对所述标准单元模型进行仿真，并模拟产品器件目标值的调整，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组；根据所述第一影响参数组和标准单元使用比率，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对芯片性能及功耗影响的第二影响参数组；
6、根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同产品器件目标值对芯片性能及功耗影响的第三影响参数组；所述第三影响参数组用于判断产品器件目标值对所述芯片性能及功耗影响。
7、可选的，所述第一影响参数组包括：标准阈值电压下所述标准单元性能的标准性能参数值及标准单元功耗
8、可选的，所述通过对所述标准单元模型进行仿真，并模拟产品器件目标值的调整，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组的步骤，包括：
9、通过检测标准阈值电压下所述标准单元的标准性能参数值及标准功耗参数值，模拟标准产品器件目标值下，所述标准单元标准性能参数值及标准功耗参数值。
10、调节所述标准单元模型内晶体管的阈值电压，检测不同幅度的阈值电压变化下所述标准单元的一般性能参数值及一般功耗参数值，获得第一影响参数组。
11、可选的，所述标准单元使用比率包括：所述标准单元在所述芯片内的使用比例或所述在所述芯片的关键路径内使用比例。
12、可选的，所述不同类型晶体管使用比率包括：不同类型晶体管占所述芯片全部晶体管的使用比率，或不同类型晶体管占所述芯片的关键路径的使用比率。
13、可选的，所述第三影响参数组包括：动态功耗影响参数组；
14、所述动态功耗影响参数组包括：标准阈值电压下所述芯片的动态功耗标准值，阈值电压变化中所述芯片的动态功耗的一般动态功耗参数组；
15、所述根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同类型晶体管对芯片性能影响的第三影响参数组的步骤，包括：
16、根据所述第二影响参数组、不同类型晶体管使用比率和静态动态功耗比例获取动态功耗影响参数组。
17、可选的，所述不同类型晶体管使用比率还包括：芯片功耗比率组。
18、可选的，所述第三影响参数组包括：静态功耗影响参数组；
19、所述静态功耗影响参数组包括：标准阈值电压下所述芯片的静态功耗标准值，阈值电压变化中所述芯片的静态功耗的一般静态功耗参数组；
20、所述根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同类型晶体管对芯片性能影响的第三影响参数组的步骤，包括：
21、根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率获取静态功耗影响参数组。
22、可选的，所述第三影响参数组包括：频率影响参数组；
23、所述频率影响参数组包括：标准阈值电压下所述芯片的频率标准值，阈值电压变化中所述芯片的频率相对所述频率标准值的变化一般频率参数组；
24、所述根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同类型晶体管对芯片性能影响的第三影响参数组的步骤，包括：
25、根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管占所述芯片的关键路径的使用比率获取频率影响参数组。
26、可选的，还包括，使用所述第三影响参数组绘制二维等高线图，以展示不同类型晶体管对所述芯片性能影响。
27、本申请实施例还提供一种芯片性能分析装置，包括：
28、模型构建模块，用于构建用于模拟待分析芯片标准单元的标准单元模型；
29、第一参数组获取模块，用于通过对所述标准单元模型进行仿真，并模拟产品器件目标值的调整，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组；
30、第二参数组获取模块，用于根据所述第一影响参数组和标准单元使用比率，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对芯片性能及功耗影响的第二影响参数组；
31、第三参数组获取模块，用于根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同产品器件目标值对芯片性能及功耗影响的第三影响参数组；所述第三影响参数组用于判断产品器件目标值对所述芯片性能及功耗影响。
32、可选的，所述第一影响参数组包括：标准阈值电压下所述标准单元性能的标准性能参数值及标准单元功耗的标准功耗参数值；以及，阈值电压变化中所述标准单元性能的一般性能参数值及标准单元功耗的一般功耗参数值。
33、可选的，所述第一参数组获取，包括：
34、标准参数值获取模块，用于通过检测标准阈值电压下所述标准单元的标准性能参数值及标准功耗参数值，模拟标准产品器件目标值下，所述标准单元标准性能参数值及标准功耗参数值。
35、变化参数值获取模块，调节所述标准单元模型内晶体管的阈值电压，检测不同幅度的阈值电压变化下所述标准单元的一般性能参数值及一般功耗参数值，获得第一影响参数组。
36、可选的，所述不同类型晶体管使用比率包括：不同类型晶体管占所述芯片全部晶体管的使用比率或不同类型晶体管占所述芯片的关键路径的使用比率。
37、可选的，所述第三影响参数组包括：动态功耗影响参数组；
38、所述动态功耗影响参数组包括：标准阈值电压下所述芯片的动态功耗标准值，阈值电压变化中所述芯片的动态功耗的一般动态功耗参数组；
39、所述第三参数组获取模块，包括动态功耗获取模块，用于根据所述第二影响参数组、不同类型晶体管使用比率和静态动态功耗比例获取动态功耗影响参数组。
40、可选的，所述第三影响参数组包括：静态功耗影响参数组；
41、所述静态功耗影响参数组包括：标准阈值电压下所述芯片的静态功耗标准值，阈值电压变化中所述芯片的静态功耗的一般静态功耗参数组；
42、所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第一影响参数组包括：标准阈值电压下所述标准单元性能的标准性能参数值及标准单元功耗的标准功耗参数值；以及，阈值电压变化中所述标准单元性能的一般性能参数值及标准单元功耗的一般功耗参数值。
3.如权利要求2所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述标准单元性能，包括：标准单元频率；所述标准单元功耗包括：标准单元静态功耗及标准单元动态功耗。
4.如权利要求3所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述通过对所述标准单元模型进行仿真，并模拟产品器件目标值的调整，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组的步骤，包括：
5.如权利要求4所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述标准单元使用比率包括：所述标准单元在所述芯片内的使用比例或所述标准单元在所述芯片的关键路径内使用比例。
6.如权利要求5所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述不同类型晶体管使用比率包括：不同类型
7.如权利要求6所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第三影响参数组包括：动态功耗影响参数组；
8.如权利要求7所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述不同类型晶体管使用比率还包括：芯片功耗比率组。
9.如权利要求6所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第三影响参数组包括：静态功耗影响参数组；
10.如权利要求6所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第三影响参数组包括：频率影响参数组；
11.如权利要求8所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述芯片功耗比率组包括：所述芯片的动态功耗与静态功耗的比例，及所述芯片的件内部功耗和芯片有效功耗的比例。
12.如权利要求1所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，还包括，使用所述第三影响参数组绘制二维等高线图，以展示不同类型晶体管对所述芯片性能影响。
13.一种芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，所述第一影响参数组包括：标准阈值电压下所述标准单元性能的标准性能参数值及标准单元功耗的标准功耗参数值；以及，阈值电压变化中所述标准单元性能的一般性能参数值及标准单元功耗的一般功耗参数值。
15.如权利要求13所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，所述第一参数组获取模块，包括：
16.如权利要求13所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，所述不同类型晶体管使用比率包括：不同类型晶体管占所述芯片全部晶体管的使用比率或不同类型晶体管占所述芯片的关键路径的使用比率。
17.如权利要求16所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，所述第三影响参数组包括：动态功耗影响参数组；
18.如权利要求16所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，所述第三影响参数组包括：静态功耗影响参数组；
19.如权利要求16所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，所述第三影响参数组包括：频率影响参数组；
20.如权利要求13所述的芯片性能及功耗分析装置，其特征在于，还包括，绘图模块，用于使用所述第三影响参数组绘制二维等高线图。
21.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储芯片的设计程序，所述设计程序被执行时实现如权利要求1-12任一项所述的芯片性能及功耗分析方法。
22.一种计算机设备，其特征在于，包括如权利要求13-20任一所述的芯片性能及功耗分析装置。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第一影响参数组包括：标准阈值电压下所述标准单元性能的标准性能参数值及标准单元功耗的标准功耗参数值；以及，阈值电压变化中所述标准单元性能的一般性能参数值及标准单元功耗的一般功耗参数值。
3.如权利要求2所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述标准单元性能，包括：标准单元频率；所述标准单元功耗包括：标准单元静态功耗及标准单元动态功耗。
4.如权利要求3所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述通过对所述标准单元模型进行仿真，并模拟产品器件目标值的调整，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组的步骤，包括：
5.如权利要求4所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述标准单元使用比率包括：所述标准单元在所述芯片内的使用比例或所述标准单元在所述芯片的关键路径内使用比例。
6.如权利要求5所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述不同类型晶体管使用比率包括：不同类型晶体管占所述芯片全部晶体管的使用比率，或不同类型晶体管占所述芯片的关键路径的使用比率。
7.如权利要求6所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第三影响参数组包括：动态功耗影响参数组；
8.如权利要求7所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述不同类型晶体管使用比率还包括：芯片功耗比率组。
9.如权利要求6所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第三影响参数组包括：静态功耗影响参数组；
10.如权利要求6所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述第三影响参数组包括：频率影响参数组；
11.如权利要求8所述的芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，所述芯片功耗比率组...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛小帝，陈权，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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