【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及芯片，具体涉及一种封装结构及其形成方法、集成电路板。
技术介绍
1、随着对面积和性能的不断提升，先进封装进入2.5d&3d时代。其中，将异质芯片通过并排或垂直堆叠的方式集成至同一封装体上(如:cowos—chip on wafer onsubstrate)，成为产业界提升整体性能的最受欢迎的手段。
2、然而，现有的封装结构的散热效率不高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种封装结构及其形成方法、集成电路板，可以提高封装结构的散热效率。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：
3、转接板，所述转接板包括位于所述转接板的表面内的底部散热结构；
4、在所述转接板设置所述底部散热结构的一侧键合的顶芯片，所述顶芯片包括有效区和环绕所述有效区的边缘区；
5、位于所述顶芯片的边缘区内的散热通孔，所述散热通孔暴露所述底部散热结构；
6、覆盖在所述散热通孔和所述顶芯片表...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述转接板还包括贯穿所述转接板的导电插塞，所述导电插塞与所述底部散热结构在所述转接板上的投影相互隔离。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述转接板和所述顶芯片之间的导电互连层，所述导电互连层一面与所述导电插塞电连接，另一面与所述顶芯片电连接；
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电插塞在所述转接板表面的投影与所述底部散热结构在所述转接板表面的投影之间的距离大于或等于所述导电插塞的直径。
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述转接板还包括贯穿所述转接板的导电插塞，所述导电插塞与所述底部散热结构在所述转接板上的投影相互隔离。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述转接板和所述顶芯片之间的导电互连层，所述导电互连层一面与所述导电插塞电连接，另一面与所述顶芯片电连接；
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电插塞在所述转接板表面的投影与所述底部散热结构在所述转接板表面的投影之间的距离大于或等于所述导电插塞的直径。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述底部散热结构在所述转接板的深度小于或等于所述转接板的厚度。
6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述底部散热结构在所述转接板表面的截面为多个条状的组合；
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述底部散热结构为多个条状结构的组合，所述条状结构为n个时，对应的散热通孔为m*n个，其中，n为正整数，m为偶数，一条状结构对应m个散热通孔，且所述散热通孔均匀分布。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述底部散热结构的材料为铝、铜、银、金、镍、钨中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述顶部散热结构在所述顶芯片上的厚度大于或等于所述顶芯片厚度的0.5倍，且小于或等于所述顶芯片厚度；
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述顶部散热结构的材料为铝、...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛伟，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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