【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及集成电路技术。更具体地讲，涉及一种数据写入装置、数据写入控制方法及电子设备。
技术介绍
1、随着各类集成电路的不断发展，目前的集成电路技术具备写入数据，例如对集成电路进行数据烧写，使其具有特定的运算功能，进而实现集成电路的可编程操作。
2、但由于目前集成电路中缺乏对应的控件对数据写入进程进行管控，导致集成电路可能在电路正常工作过程中误进入数据写入模式，或者在需要进行数据写入状态时无法及时进入数据写入模式，这将影响集成电路的性能稳定。为了有效减少上述技术问题的产生，亟需提出一种能够高效控制数据写入进程的技术方案。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种数据写入装置、数据写入控制方法及电子设备，可以有效解决电路正常工作过程中误进入数据写入模式，或者在需要进行数据写入状态时无法及时进入数据写入模式，影响集成电路的稳定性能的问题，并能达到数据的高效、可靠性写入的目的。
2、第一方面，本申请实施例提供一种数据写入控制装置，包括数据传输电路和数据读出电路；所述数据传输电路包括数据信号传输模块、时钟控制模块和数据信号译码模块；所述数据读出电路包括数据存储模块和数据读出模块；其中，
3、所述数据信号传输模块，与所述数据信号译码模块电连接，用于将外部的数据信号传输至所述数据信号译码模块中，所述数据信号包括握手信号、待写入数据和写入信号；
4、所述数据信号译码模块，分别与所述数据信号传输模块和所述时钟控制模块电连接，用于接收所述数据信号传
5、所述数据存储模块，分别与所述数据信号传输模块、所述时钟控制模块、所述数据译码模块和所述数据读出模块电连接，用于根据所述第一时钟信号和所述写入确认信号，对所述待写入数据进行数据写入操作，并存储对应的写入数据；
6、所述数据读出模块，与所述数据存储模块电连接，用于根据所述数据存储模块中的写入数据的高/低电平信号读出所述写入数据，以得到二进制数据。
7、本申请实施例提供的上述数据写入控制装置，通过设置数据传输电路和数据读出电路，利用数据传输电路中的数据信号传输模块、时钟控制模块和数据信号译码模块，在对应时钟下对数据写入信号进行译码操作，并根据译码结果进行数据写入，最后利用数据读出电路根据写入数据的电平状态读出写入数据，以得到二进制数据，该二进制数据可以实现集成电路中的可编程操作，此过程有效解决了电路正常工作过程中误进入数据写入模式，或者在需要进行数据写入状态时无法及时进入数据写入模式，影响集成电路的稳定性能的问题，并能达到数据的高效、可靠性写入的目的。
8、在一种实施方式中，所述数据信号为烧写数据信号；所述数据信号传输模块为烧写数据传输电路，其中所述数据信号传输模块包括n位移位寄存器，所述时钟控制模块包括m位计数器和所述数据信号译码模块包括指令译码器；所述数据读出电路为阵列熔丝烧写电路，其包括h位单元熔丝烧写电路，每位的所述位单元熔丝烧写电路包括所述数据存储模块和数据读出模块；其中，n、m、h为大于1的正整数。
9、本申请实施例提供的上述数据写入控制装置，采用数据烧写的方式进行数据写入，并利用n位移位寄存器对数据有效位进行同时烧写，利用阵列熔丝烧写电路进行数据读出，有效提高了数据写入效率。
10、在一种实施方式中，所述数据存储模块包括第一寄存器u1；所述数据读出模块包括第一反相器、第一功率管u2、第二功率管m8、第一恒流源结构和熔丝fuse；
11、所述第一寄存器u1，其一端分别与所述数据信号传输模块、所述时钟控制模块、所述指令译码器电连接，其另一端通过所述反相器与所述第一功率管u2电连接，用于存储对应的写入数据，并根据所述写入数据对应的高/低电平信号，导通/关断所述第一功率管u2和所述第二功率管m8；其中，
12、所述第二功率管m8和所述第一功率管u2导通时，所述熔丝fuse和所述第一恒流源结构并联，以形成大电流电路，使得所述熔丝fuse熔断，并使所述数据读出模块输出高电平，并根据所述高电平读出对应的写入数据；或者，
13、所述第一功率管u2和所述第二功率管m8关断时，所述熔丝fuse和所述第一恒流源结构构成支路，使所述数据读出模块输出低电平，并根据所述低电平读出对应的写入数据。
14、本申请实施例提供的上述数据写入控制装置，位单元熔丝烧写电路的具体结构有效提高了数据读出效率。
15、在一种实施方式中，所述阵列熔丝烧写电路还包括与所述h位单元熔丝烧写电路电连接的位单元偏置电路和电流检测电路，所述位单元偏置电路用于为所述h位单元熔丝烧写电路提供第二恒流源，其包括耗尽型nmos管m1，以及与所述nmos管m1电连接的第一电流镜结构，所述第一电流镜结构包括依次连接的第一mos管m2、第二mos管m3、第三mos管m5、第四mos管m6和第五mos管m7；所述电流检测电路用于检测所述h位单元熔丝烧写电路的烧写状态，其包括电阻r2和与所述电阻r2电连接的第六mos管m4，当所述h位单元熔丝烧写电路中需要熔断的熔丝断开后为低电平状态时，若所述第六mos管m4不导通，标志所述待写入数据的烧写过程已完成。
16、本申请实施例提供的上述数据写入控制装置，利用位单元偏置电路为阵列熔丝烧写电路提供恒流源，并利用电流检测电路检测熔丝fuse状态，可以准确判断电路中数据是否烧写完成。
17、在一种实施方式中，所述n位移位寄存器，每位的所述移位寄存器包括d触发器、q输出端、r复位端和ck时钟端；其中，
18、所述n位移位寄存器中的首位移位寄存器的d触发器与数据线连接，用于通过所述数据线接收所述数据信号，除了所述首位移位寄存器之外的其它移位寄存器的d触发器分别与其前一位的移位寄存器的q输出端连接；
19、所述n位移位寄存器的q输出端还与所述指令译码器电连接，用于向所述指令译码器输出所述数据信号；
20、所述n位移位寄存器中每位的所述移位寄存器的r复位端之间依次连接，用于接收复位指令，并根据所述复位指令使对应的移位寄存器进入复位态；
21、所述n位移位寄存器中每位的所述移位寄存器的ck时钟端之间依次连接，且分别与所述时钟控制模块连接，用于确定每位的所述移位寄存器用于传输所述数据信号所对应的第二时钟信号。
22、本申请实施例提供的上述数据写入控制装置，提供了n位移位寄存器中各个移位寄存器之间的连接关系，从而实现对数据的同时烧写。
23、在一种实施方式中，所述指令译码器包括第一译码器和第二译码器，所述第一译码器包括第一预设数量的第二反相器、第二预设数量的第一与非门、第一或非门和第二寄存器，所述第二译码器包括第三预设数量的第三本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种数据写入控制装置，其特征在于，包括数据传输电路和数据读出电路；所述数据传输电路包括数据信号传输模块、时钟控制模块和数据信号译码模块；所述数据读出电路包括数据存储模块和数据读出模块；其中，
2.根据权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述数据信号为烧写数据信号；所述数据信号传输模块为烧写数据传输电路，其中所述数据信号传输模块包括N位移位寄存器，所述时钟控制模块包括M位计数器和所述数据信号译码模块包括指令译码器；所述数据读出电路为阵列熔丝烧写电路，其包括H位单元熔丝烧写电路，每位的所述位单元熔丝烧写电路包括所述数据存储模块和数据读出模块；其中，N、M、H为大于1的正整数。
3.根据权利要求2所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述数据存储模块包括第一寄存器U1；所述数据读出模块包括第一反相器、第一功率管U2、第二功率管M8、第一恒流源结构和熔丝FUSE；
4.根据权利要求2所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述阵列熔丝烧写电路还包括与所述H位单元熔丝烧写电路电连接的位单元偏置电路和电流检测电路，所述位单元偏置电路用于为所述H位单
5.根据权利要求2所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述N位移位寄存器，每位的所述移位寄存器包括D触发器、Q输出端、R复位端和CK时钟端；其中，
6.根据权利要求2所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述指令译码器包括第一译码器和第二译码器，所述第一译码器包括第一预设数量的第二反相器、第二预设数量的第一与非门、第一或非门和第二寄存器，所述第二译码器包括第三预设数量的第三反相器、第四预设数量的第二与非门、第二或非门和第三寄存器，所述第一预设数量的数量大于所述第二预设数量；其中，
7.根据权利要求1-6任一项所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述数据读出电路还与外部的数字编码器电路电连接，所述数字编码器电路用于根据所述数据读出电路读出的所述写入数据从多种修调电路结构中选通对应的修调电路，所述修调电路用于对目标电路的电流和/或电压进行修调。
8.一种数据写入控制方法，其特征在于，
9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的数据写入控制装置，以及与所述数据写入控制装置电连接的数字编码器电路，所述数字编码器电路用于根据所述数据写入控制装置读出的写入数据从多种修调电路结构中选通对应的修调电路，所述修调电路用于对所述电子设备中目标电路的电流和/或电压进行修调。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述修调电路采用第二电流镜结构。
...【技术特征摘要】
1.一种数据写入控制装置，其特征在于，包括数据传输电路和数据读出电路；所述数据传输电路包括数据信号传输模块、时钟控制模块和数据信号译码模块；所述数据读出电路包括数据存储模块和数据读出模块；其中，
2.根据权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述数据信号为烧写数据信号；所述数据信号传输模块为烧写数据传输电路，其中所述数据信号传输模块包括n位移位寄存器，所述时钟控制模块包括m位计数器和所述数据信号译码模块包括指令译码器；所述数据读出电路为阵列熔丝烧写电路，其包括h位单元熔丝烧写电路，每位的所述位单元熔丝烧写电路包括所述数据存储模块和数据读出模块；其中，n、m、h为大于1的正整数。
3.根据权利要求2所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述数据存储模块包括第一寄存器u1；所述数据读出模块包括第一反相器、第一功率管u2、第二功率管m8、第一恒流源结构和熔丝fuse；
4.根据权利要求2所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述阵列熔丝烧写电路还包括与所述h位单元熔丝烧写电路电连接的位单元偏置电路和电流检测电路，所述位单元偏置电路用于为所述h位单元熔丝烧写电路提供第二恒流源，其包括耗尽型nmos管m1，以及与所述nmos管m1电连接的第一电流镜结构，所述第一电流镜结构包括依次连接的第一mos管m2、第二mos管m3、第三mos管m5、第四mos管m6和第五mos管m7；所述电流检测电路用于检测所述h位单元熔丝烧写电路的烧写状态，其包括电阻r2和与所述电阻r2电连接的第六mos管m4，当所述h位单元熔丝...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆友威，别清峰，万经树，潘顺生，周文杰，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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