System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:40587425 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-12 21:47
提供一种半导体装置,其能够抑制内部背面中密封树脂的剥离。半导体装置(A10)具有:半导体元件(6);引线(1),其搭载了半导体元件(6);密封树脂(8),其覆盖引线(1)的一部分以及半导体元件(6)。引线(1)具有:主面(11),其接合了半导体元件(6);背面(12),其在第一引线(1)的厚度方向上与主面(11)朝向相反侧,且从密封树脂(8)露出;内部背面(13),其在厚度方向上朝向与背面(12)相同的一侧,且被密封树脂(8)覆盖。内部背面(13)具有凹凸部(19)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置


技术介绍

1、对具有半导体元件的半导体装置提出了各种结构。作为半导体装置的一例,有通过导线将搭载于裸片焊盘的半导体元件与引线连接,并用密封树脂来覆盖它们的半导体装置。在这样的半导体装置中,裸片焊盘的背面从密封树脂露出而成为背面端子。此时,为了防止裸片焊盘从密封树脂的背面脱落,在裸片焊盘形成朝向与背面相同的一侧且被密封树脂覆盖的内部背面。在专利文献1中公开了如下半导体装置:在第一引线的搭载部主面搭载半导体元件,搭载部背面从密封树脂露出而成为背面端子。在该半导体装置中,第一引线具有从搭载部背面向z方向凹陷的搭载部背面侧凹部。

2、在这样的半导体装置中,有时由于因裸片焊盘与密封树脂的线膨胀系数不同而产生的热应力,密封树脂从裸片焊盘剥离。剥离发展的结果是,有时应力集中于裸片焊盘的端部,而在密封树脂产生裂纹。特别是,内部背面与裸片焊盘的端部相连,面积较小,因此,当在内部背面产生密封树脂的剥离时,容易产生裂纹。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2021-27116号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本公开是根据上述情况而提出的,其课题在于提供一种半导体装置,其能够抑制内部背面中密封树脂的剥离。

3、用于解决课题的手段

4、由本公开提供的半导体装置,具有:半导体元件;第一引线,其搭载了所述半导体元件;以及密封树脂,其覆盖所述第一引线的一部分以及所述半导体元件,所述第一引线具有:第一主面,其接合了所述半导体元件;第一背面,其在所述第一引线的厚度方向上与所述第一主面朝向相反侧,且从所述密封树脂露出;以及内部背面,其在所述厚度方向上朝向与所述第一背面相同的一侧,且被所述密封树脂覆盖,所述内部背面具有凹凸部。

5、专利技术效果

6、本公开的半导体装置能够抑制内部背面中密封树脂的剥离。

7、通过参照附图以下进行的详细说明,本公开的其他特征和优点变得更加明确。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求2~5中任一项所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求2~6中任一项所述的半导体装置,其中,

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体装置,其中,

11.根据权利要求1~10中任一项所述的半导体装置,其中,

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体装置,其中,

13.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

14.根据权利要求13所述的半导体装置,其中,

15.根据权利要求13或14所述的半导体装置,其中,

16.根据权利要求15所述的半导体装置,其中,

17.根据权利要求13~16中任一项所述的半导体装置,其中,

18.根据权利要求17所述的半导体装置,其中,

19.根据权利要求17或18所述的半导体装置,其中,

20.根据权利要求13~19中任一项所述的半导体装置,其中,

21.根据权利要求13~20中任一项所述的半导体装置,其中,

22.根据权利要求13~21中任一项所述的半导体装置,其中,

23.根据权利要求13~22中任一项所述的半导体装置,其中,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求2~5中任一项所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求2~6中任一项所述的半导体装置,其中,

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体装置,其中,

11.根据权利要求1~10中任一项所述的半导体装置,其中,

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体装置,其中,

...

【专利技术属性】
技术研发人员:丹羽大地濑田雄基齐藤光俊
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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