【技术实现步骤摘要】
本公开涉及表面处理，具体地，涉及一种碳化硅晶体清洗剂及其应用。
技术介绍
1、碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有高热导率、高临界击穿场度、高电子饱和漂移速率等优点，在半导体制造领域具有巨大的应用前景。随着碳化硅材料在半导体行业中的不断发展，对碳化硅材料表面清洗技术的要求越来越苛刻。其中碳化硅晶片表面存在的金属污染是碳化硅表面的四大污染物之一，对碳化硅晶片表面的金属污染物清洗是碳化硅晶片清洗中非常重要的部分。
2、目前碳化硅晶片的清洗普遍采用rca清洗法，而rca清洗法中分别采用apm(nh4oh:h2o2:h2o)hpm(hcl:h2o2:h2o)这两种试剂来分别去除碳化硅晶片表面存在的颗粒和金属污染物，但是，使用这两种试剂清洗碳化硅晶片会存在化学试剂用量高、清洗工艺繁杂及对环境造成污染的问题。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种碳化硅晶体清洗剂及其应用，本公开的碳化硅晶体清洗剂能够有效去除碳化硅晶体表面的颗粒及金属污染，且降低了成本。
2、为了实现上述目的，本公开第一方面提供一种碳化硅晶体清洗剂，所述碳化硅晶体清洗剂包括非离子型表面活性剂、金属离子螯合剂和水；所述非离子型表面活性剂、所述金属离子螯合剂和所述水的重量比为1：(0.001～0.03)：(0.001～0.03)；所述金属离子螯合剂为选自乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、氨基三乙酸和葡萄糖酸钠中的一种或多种。
3、可选地，所述非离子型表面活性剂、所述金属离子螯合剂和所述水的重
4、可选地，所述非离子型表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、多元醇聚氧乙烯醚脂肪酸酯和七甲基三硅氧烷聚氧乙烯醚中的一种或多种。
5、可选地，所述非离子型表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚。
6、可选地，所述脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚的重量比为1：(1.5～3)。
7、可选地，所述脂肪醇聚氧乙烯醚的重均分子量为494.70～582.81；所述烷基酚聚氧乙烯醚的重均分子量为500～700。
8、可选地，所述金属离子螯合剂为乙二胺四乙酸和葡萄糖酸钠，所述乙二胺四乙酸和葡萄糖酸钠的重量比为1：(2～5)。
9、本公开第二方面提供一种本公开第一方面所述的碳化硅晶体清洗剂在清洗碳化硅晶体中的应用，所述应用包括：将碳化硅晶片置于所述碳化硅晶体清洗剂中浸泡后进行第一清洗，然后在水中进行第二清洗后干燥。
10、可选地，所述浸泡的时间为1min～10min；所述第一清洗为超声清洗，所述第一清洗的条件包括：频率为30khz～100khz，时间为5min～30min，温度为30℃～120℃。
11、可选地，所述第二清洗为超声清洗，所述第二清洗的条件包括：频率为30khz～100khz，时间为5min～30min，温度为30℃～120℃；所述干燥的温度为80℃～120℃，时间为1h～5h。
12、通过上述技术方案，本公开提供的一种碳化硅晶体清洗剂及其应用，该碳化硅晶体清洗剂包括特定配比的非离子型表面活性剂、金属离子螯合剂和水，所述金属离子螯合剂为选自乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、氨基三乙酸和葡萄糖酸钠中的一种或多种，采用该碳化硅晶体清洗剂清洗碳化硅晶体能够有效去除碳化硅晶体表面的颗粒及金属污染，降低成本，且化学试剂用量小。
13、本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述碳化硅晶体清洗剂包括非离子型表面活性剂、金属离子螯合剂和水；所述非离子型表面活性剂、所述金属离子螯合剂和所述水的重量比为1：(0.001～0.03)：(0.001～0.03)；所述金属离子螯合剂为选自乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、氨基三乙酸和葡萄糖酸钠中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体清洗剂，所述非离子型表面活性剂、所述金属离子螯合剂和所述水的重量比为1：(0.001～0.01)：(0.01～0.03)。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述非离子型表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、多元醇聚氧乙烯醚脂肪酸酯和七甲基三硅氧烷聚氧乙烯醚中的一种或多种。
4.根据权利要求1或3所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述非离子型表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚的重量比为1：(1.5～3)。
6.根据权利要求4所述的碳化硅
7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述金属离子螯合剂为乙二胺四乙酸和葡萄糖酸钠，所述乙二胺四乙酸和葡萄糖酸钠的重量比为1：(2～5)。
8.权利要求1～7中的任意一项所述的碳化硅晶体清洗剂在清洗碳化硅晶体中的应用，所述应用包括：将碳化硅晶片置于所述碳化硅晶体清洗剂中浸泡后进行第一清洗，然后在水中进行第二清洗后干燥。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述浸泡的时间为1min～10min；所述第一清洗为超声清洗，所述第一清洗的条件包括：频率为30KHz～100KHz，时间为5min～30min，温度为30℃～120℃。
10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述第二清洗为超声清洗，所述第二清洗的条件包括：频率为30KHz～100KHz，时间为5min～30min，温度为30℃～120℃；
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述碳化硅晶体清洗剂包括非离子型表面活性剂、金属离子螯合剂和水；所述非离子型表面活性剂、所述金属离子螯合剂和所述水的重量比为1：(0.001～0.03)：(0.001～0.03)；所述金属离子螯合剂为选自乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、氨基三乙酸和葡萄糖酸钠中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体清洗剂，所述非离子型表面活性剂、所述金属离子螯合剂和所述水的重量比为1：(0.001～0.01)：(0.01～0.03)。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述非离子型表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、多元醇聚氧乙烯醚脂肪酸酯和七甲基三硅氧烷聚氧乙烯醚中的一种或多种。
4.根据权利要求1或3所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述非离子型表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体清洗剂，其特征在于，所述脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚的重量比为1：(1.5～3)。
【专利技术属性】
技术研发人员：徐雪鑫，翟虎，林宏达，孙金梅，
申请(专利权)人：浙江兆晶新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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