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用于除去氧化物的清洗组合物及用清洗组合物的清洗方法技术

技术编号:40578759 阅读:8 留言:0更新日期:2024-03-06 17:21
本公开内容涉及用于除去氧化物的清洗组合物及用清洗组合物的清洗方法,该清洗组合物包括选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸;选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐;表面活性剂;以及水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于除去氧化物的清洗组合物和使用清洗组合物的清洗方法。


技术介绍

1、有机发光设备(oled)是具有宽视角、高对比率、以及短响应时间的自发射设备。此外,oled显示优异的亮度、驱动电压、以及响应速度特性并且产生全色图像。

2、oled可具有以规定顺序位于基板上的第一电极、有机层、以及第二电极的堆叠结构。通过使用利用掩模的真空沉积法可形成oled的堆叠结构。换句话说,通过使用利用金属掩模例如精细金属掩模(fmm)的真空沉积法可使有机层精细图案化。然而,因为第一电极和第二电极没有被精细图案化,所以通过使用利用开放式掩模(open mask)的真空沉积法可形成第一电极和第二电极。

3、通常,可通过使用湿蚀刻工艺或者激光工艺处理掩模基底材料(mask basematerial)形成fmm。掩模可在真空沉积工艺过程中引入污染材料,因此,要求清洗掩模。在湿蚀刻工艺过程中,通过使用诸如蒸馏水或酒精的常规清洗溶液冲洗掩模基底材料可以除去杂质。

4、然而,当通过使用激光工艺处理掩模基底材料时,利用常规清洗溶液不能除去利用激光照射掩模基底材料时自然形成的氧化物。因此,仍然存在于掩模基底材料上残留氧化物的问题。


技术实现思路

1、一种或者多种示例性实施方式可包括用于除去氧化物的清洗组合物,清洗组合物选择性地除去掩模基底材料的表面上形成的氧化物,而不损坏掩模基底材料。

2、一种或者多种示例性实施方式可包括通过使用用于除去氧化物的清洗组合物进行清洗的方法。

3、其他方面将在随后的描述中部分陈述并且部分从该描述中显而易见,或者可以通过实施提供的实施方式获知。

4、根据本专利技术的一种或者多种示例性实施方式,用于除去氧化物的清洗组合物可包括:选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸;选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐;表面活性剂;以及水。

5、根据本专利技术的一种或者多种示例性实施方式,清洗方法可包括:制备包括氧化物的掩模基底材料;以及通过使所述的清洗组合物与掩模基底材料接触而进行第一次清洗。

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【技术保护点】

1.一种用于除去掩模基底材料的表面上形成的氧化物的清洗组合物,由以下组成:

2.根据权利要求1所述的清洗组合物,其中,基于100wt%的所述用于除去氧化物的清洗组合物,所述酸的量在0.1wt%至50wt%的范围内,所述盐的量在0.1wt%至35wt%的范围内,并且剩余物是水。

3.根据权利要求1所述的清洗组合物,其中,基于100wt%的所述用于除去氧化物的清洗组合物,所述酸的量在0.1wt%至35wt%的范围内,所述盐的量在0.1wt%至20wt%的范围内,所述表面活性剂的量在0.1wt%至3wt%的范围内,并且剩余物是水。

4.根据权利要求1所述的清洗组合物,其中,所述表面活性剂包括选自下述中的至少一种表面活性剂:

5.一种清洗方法,所述方法包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述掩模基底材料包括选自下述中的至少一种金属:Fe、Co、Cr、Mn、Ni、Ti、Mo、不锈钢SUS合金、因科镍合金、科瓦合金、以及因瓦合金。

7.根据权利要求5所述的方法,其中,响应于利用激光照射所述掩模基底材料而自然地形成所述氧化物。

8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一次清洗包括通过使用喷射法、旋涂法、或者浸渍法使所述清洗组合物与所述掩模基底材料接触。

9.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一次清洗包括在10℃至50℃的温度范围内使用浸渍法60分钟至1440分钟。

10.根据权利要求5所述的方法,进一步包括在完成所述第一次清洗之后下述中的至少一种:

11.根据权利要求10所述的方法,其中,在完成所述第一次清洗之后,连续进行所述第二次清洗、所述第三次清洗、以及所述第四次清洗。

12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第二次清洗包括在10℃至50℃的温度范围内使用浸渍法60分钟至120分钟。

13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第二次清洗时使用的所述清洗混合物中的所述表面活性剂包括选自下述中的至少一种表面活性剂:

...

【技术特征摘要】

1.一种用于除去掩模基底材料的表面上形成的氧化物的清洗组合物,由以下组成:

2.根据权利要求1所述的清洗组合物,其中,基于100wt%的所述用于除去氧化物的清洗组合物,所述酸的量在0.1wt%至50wt%的范围内,所述盐的量在0.1wt%至35wt%的范围内,并且剩余物是水。

3.根据权利要求1所述的清洗组合物,其中,基于100wt%的所述用于除去氧化物的清洗组合物,所述酸的量在0.1wt%至35wt%的范围内,所述盐的量在0.1wt%至20wt%的范围内,所述表面活性剂的量在0.1wt%至3wt%的范围内,并且剩余物是水。

4.根据权利要求1所述的清洗组合物,其中,所述表面活性剂包括选自下述中的至少一种表面活性剂:

5.一种清洗方法,所述方法包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述掩模基底材料包括选自下述中的至少一种金属:fe、co、cr、mn、ni、ti、mo、不锈钢sus合金、因科镍合金、科瓦合金、以及因瓦合金...

【专利技术属性】
技术研发人员:任星淳黄圭焕孔仁浩金昌燮金昊泰陈宰焕黄东旭
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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