一种碳化硅粉料及其制备方法与应用技术

本公开涉及一种碳化硅粉料及其制备方法与应用，将第一部分碳粉和第一部分硅粉进行第一混合形成第一混合物料；将第二部分碳粉和第二部分硅粉进行第二混合形成第二混合物料；第一混合物料中的碳含量低于第二混合物料中的碳含量；将第二混合物料铺于第一混合物料之上形成第三混合物料，使第三混合物料进行烧结反应，使烧结反应得到的物料进行除碳反应得到碳化硅粉料。本方法操作简单，减少了合成出的碳化硅粉料中出现的β‑SiC粉料，增加了合成出的碳化硅粉料中的ɑ‑SiC粉料，从而提高了碳化硅粉料的整体利用率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体材料领域，具体地，涉及一种碳化硅粉料及其制备方法与应用。

技术介绍

1、碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高临界击穿场度、高电子饱和漂移速率等优点，所以在半导体制造领域具有巨大的应用前景。目前碳化硅单晶采用pvt法进行生长，具体生长方法为：将碳化硅籽晶粘接在石墨坩埚顶部籽晶台上，在坩埚底部放置碳化硅粉料，随后将石墨坩埚置于晶体生长炉中进行加热，随着温度的升高位于坩埚底部的碳化硅粉料蒸发，随后在石墨坩埚顶部进行结晶，进行碳化硅晶体生长。在此过程中，碳化硅粉料的纯度、颗粒度、晶型都对碳化硅晶体生长有较大影响。

2、目前，碳化硅粉料合成主要采用的为自蔓延法进行生长，即将高纯碳粉和硅粉按照1:1的比例进行充分混合，混合后将其放入高纯石墨坩埚，随后将其放入炉子中，随后进行抽真空，然后在通入高纯氩气用作保护气氛，并随即进行升温加热，当反应结束后将碳化硅粉料取出，随后进行破碎、筛分、除碳、筛分、清洗、烘干后得到碳化硅粉料。

3、采用传统方法合成碳化硅粉料时，由于合成时顶部温度较低，很容易出现β-sic，而含有β-s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备碳化硅粉料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一混合物料中Si：C摩尔比为(1.01～1.3)：1；和/或，所述第二混合物料中Si：C摩尔比为1：(1.01～3)；和/或，所述第一混合物料与所述第二混合物料的重量比为1：(0.01～0.5)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三混合物料的铺层厚度为100mm～500mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结反应包括第一加热反应阶段、第二加热反应阶段和第三加热反应阶段，所述第一加热反应阶段的温度为1350℃～155...

【技术特征摘要】

1.一种制备碳化硅粉料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一混合物料中si：c摩尔比为(1.01～1.3)：1；和/或，所述第二混合物料中si：c摩尔比为1：(1.01～3)；和/或，所述第一混合物料与所述第二混合物料的重量比为1：(0.01～0.5)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三混合物料的铺层厚度为100mm～500mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结反应包括第一加热反应阶段、第二加热反应阶段和第三加热反应阶段，所述第一加热反应阶段的温度为1350℃～1550℃，压力为0.001torr～400torr，反应时间为1h～15h；所述第二加热反应阶段的温度为1650℃～1950℃，压力为5torr～600torr，反应时间为3h～25h；所述第三加热反应阶段的温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奕铭，林宏达，翟虎，
申请(专利权)人：浙江兆晶新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：