【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及具有基极结构的晶体管。
技术介绍
1、例如双极晶体管等一些晶体管包括基极作为晶体管电极之一。一些类型的双极晶体管，例如异质结双极晶体管(hbt)，可以用于高速切换应用。hbt通常针对发射极区和基极区实施不同的半导体材料类型，从而形成异质结。一些hbt可以处理高达数百ghz的极高频率的信号。hbt可以用于射频(rf)系统和需要高功率效率的应用中，例如用于蜂窝电话的rf功率放大器中。
技术实现思路
1、根据本专利技术的第一方面，提供一种用于形成晶体管的方法，所述方法包括：
2、形成晶体管的集电极；
3、形成所述晶体管的本征基极；
4、在衬底上方形成第一层；
5、在所述第一层中形成第一开口；
6、在所述形成所述第一开口之后形成掺杂有导电掺杂剂的第一半导体层，其中所述形成所述第一半导体层包括在形成所述第一开口之后通过材料沉积工艺通过所述第一开口在表面上沉积半导体材料；
7、在形成所述第一半导体层之后去除所述第一半导体层的第一部分，其中所述第一半导体层的至少第二部分在所述去除之后保留；
8、在所述去除所述第一部分之后形成发射极，其中所述发射极包括位于所述第一开口中的至少一部分；
9、其中所述第一半导体层的所述第二部分在到所述晶体管的所述本征基极的导电路径中。
10、在一个或多个实施例中，所述第一半导体层的所述第一部分位于所述晶体管的所述本征基极正上方。
12、在一个或多个实施例中，所述方法另外包括：
13、形成基极硅化物结构，其中所述第一半导体层的所述第二部分在所述本征基极与所述基极硅化物结构之间的导电路径中。
14、在一个或多个实施例中，所述第一层表征为半导体层，所述第二部分的至少一部分接触所述第一层的下侧表面。
15、在一个或多个实施例中，所述去除所述第一半导体层的第一部分包括利用对所述第一层的材料具有选择性的蚀刻工艺。
16、在一个或多个实施例中，所述第一半导体层表征为硅锗层。
17、在一个或多个实施例中，所述本征基极位于硅锗层中，硅层形成于所述硅锗层上，其中所述第一半导体层形成于硅层上。
18、在一个或多个实施例中，所述第一半导体层形成于所述衬底的硅单晶部分上。
19、在一个或多个实施例中，所述方法另外包括：
20、在形成所述第一层之前在所述衬底上方形成第二层；
21、通过所述第一开口去除所述第二层的至少一部分，其中所述第一半导体层的至少一部分形成于去除所述第二层的至少一部分的位置处。
22、在一个或多个实施例中，所述第二层的所述至少一部分的第一部分位于所述第一层中的所述第一开口的正下方，并且所述第二层的所述至少一部分的第二部分横向于所述第一开口位于所述第一层的正下方，其中所述第一半导体层的所述第二部分的至少一部分横向于所述第一开口位于所述第一层的正下方。
23、在一个或多个实施例中，所述第二层在形成所述第一层之前被图案化。
24、在一个或多个实施例中，所述通过所述第一开口去除所述第二层的至少一部分形成第二开口，其中所述形成所述第一半导体层包括在所述第二开口的暴露表面上形成所述第一半导体层。
25、在一个或多个实施例中，所述方法另外包括：
26、在所述第一半导体层上形成硅层，包括在所述第二开口的部分中形成硅层。
27、在一个或多个实施例中，其中所述第一层为电介质层。
28、在一个或多个实施例中，所述第一层包括氮化物。
29、在一个或多个实施例中，所述第一层表征为半导体层，其中所述第二部分在所述本征基极与所述第一层之间的导电基极路径中。
30、在一个或多个实施例中，所述集电极形成于所述衬底中。
31、根据本专利技术的第二方面，提供一种用于形成晶体管的方法，所述方法包括：
32、在衬底中形成晶体管的集电极；
33、形成所述晶体管的本征基极；
34、在所述衬底上方形成第一层；
35、在所述第一层中形成第一开口；
36、在所述形成所述第一开口之后形成掺杂有导电掺杂剂的sige层，其中所述形成所述sige层包括在形成所述第一开口之后通过材料沉积工艺通过所述第一开口在表面上外延地沉积半导体材料；
37、在形成所述sige层之后去除所述sige层的第一部分，其中所述sige层的至少第二部分在所述去除之后保留；
38、在所述去除所述第一部分之后形成发射极，其中所述发射极包括位于所述第一开口中的至少一部分；
39、其中所述sige层的所述第二部分在到所述晶体管的所述本征基极的导电路径中。
40、在一个或多个实施例中，所述方法另外包括：
41、在形成所述第一层之前在所述衬底上方形成第二层；
42、通过所述第一开口去除所述第二层的至少一部分，其中sige半导体层的至少一部分形成于去除所述第二层的至少一部分的位置处。
43、本专利技术的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。
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1.一种用于形成晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层的所述第一部分位于所述晶体管的所述本征基极正上方。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一部分形成第二开口，其中所述形成所述本征基极包括在所述去除所述第一部分之后在所述第二开口中形成所述本征基极的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层表征为半导体层，所述第二部分的至少一部分接触所述第一层的下侧表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述本征基极位于硅锗层中，硅层形成于所述硅锗层上，其中所述第一半导体层形成于硅层上。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层形成于所述衬底的硅单晶部分上。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层表征为半导体层，其中所述第二部分在所述本征基极与所述第
10.一种用于形成晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于形成晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层的所述第一部分位于所述晶体管的所述本征基极正上方。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一部分形成第二开口，其中所述形成所述本征基极包括在所述去除所述第一部分之后在所述第二开口中形成所述本征基极的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层表征为半导体层，所述第二部分的至少一部分接触所...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·约翰，J·A·柯奇斯纳，L·拉蒂克，J·J·T·M·唐克斯，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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