有机发光二极管像素电路制造技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管像素电路，其包括有第一至第四晶体管、一个电容与一个有机发光二极管。第一晶体管的其中一源／漏极接收显示数据，第二晶体管的栅极耦接第一晶体管的另一源／漏极，并通过电容耦接第三晶体管的其中一源／漏极与第四晶体管的其中一源／漏极，而第二晶体管的其中一源／漏极耦接第一电源电压，第三晶体管的另一源／漏极耦接第二晶体管的另一源／漏极，第四晶体管的另一源／漏极接收参考信号。有机发光二极管的阳极与阴极分别耦接第二电源电压与第二晶体管的另一源／漏极。其中，第二电源电压大于第一电源电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光二极管显示器的技术，且特别是有关于一种有机发光二极管像素电路。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是以有机发光二极管作为显示元件。而有机发光二极管乃是一种由电流来进行驱动的元件，其发光亮度会随着通过有机发光二极管的电流而改变。因此，如何精准地控制通过有机发光二极管的电流遂成为有机电激发光面板发展中的重要课题。请参照图1，其为公知的有机发光二极管显示器的示意图。此有机发光二极管显示器100包括有扫描驱动电路110、数据驱动电路120、电源电压供应电路130与有机发光二极管显示面板140。而有机发光二极管显示面板140又包括有多条扫描线(如标示142所示)、多条数据线(如标示144所示)、导线146与多个像素(如标示148所示)。每一像素148是由晶体管148-1、电容148-2、晶体管148-3与有机发光二极管148-4所组成。其中，晶体管148-1与148-3皆以N型晶体管来实现，例如是皆以N型薄膜晶体管(N-type Thin-FilmTransistor，N-type TFT)来实现。而图中所示的OVSS为参考用的电源电压，例如是接地电位。一般来说，晶体管148-1在这样的像素电路架构是称为开关晶体管，而晶体管148-3在这样的像素电路架构则是称为驱动晶体管。以上所述构件的详细连接关系已在图1中展示，在此便不再赘述。在图1所示的架构中，每一像素148中的晶体管148-3皆通过导线146接收电源电压供应电路130所提供的电源电压OVDD，且每一像素148中的有机发光二极管148-4的阴极皆耦接参考用的电源电压OVSS。而数据线144所传送的显示数据的电压将会与电压电源OVDD与OVSS的电位差共同影响通过有机发光二极管148-4的电流大小，借此控制有机发光二极管148-4的亮度。然而，随着有机发光二极管148-4的老化，使得有机发光二极管148-4的内阻上升，进一步使得有机发光二极管148-4的跨压上升。而有机发光二极管148-4的跨压的上升，将迫使晶体管148-3的漏极-源极电压(即VDS)变小。而由于通过晶体管148-3的电流大小是与晶体管148-3的VDS电压成正比，因此在晶体管148-3的VDS电压变小的情况下，通过晶体管148-3的电流也会变小，进一步使得有机发光二极管148-4的亮度变低。如此一来，由于有机发光二极管148-4的老化现象会降低有机发光二极管148-4的亮度，导致显示画面出现了亮度不均匀的现象，而此即所谓的烙痕(Image Sticking)现象。通过上述可知，像素148所示的这种有机发光二极管像素电路会因为有机发光二极管的老化而导致亮度下降。而同样的情形，也发生在公知技术中的另一种有机发光二极管像素电路，请参照图2。图2绘示公知的另一种有机发光二极管像素电路。此有机发光二极管像素电路200是由晶体管202(即开关晶体管)、电容204、晶体管206(即驱动晶体管)与有机发光二极管208所组成。其中，晶体管202亦以一N型晶体管来实现，例如是以一N-->型薄膜晶体管来实现，而晶体管206则以一P型晶体管来实现，例如是以一P型薄膜晶体管(P-typeThin-Film Transistor，P-type TFT)来实现。而图中所示的OVDD为电源电压供应电路(未绘示)所提供的电源电压。至于图中所示的OVSS，其为参考用的电源电压，例如是接地电位。此外，晶体管202的其中一源/漏极用以耦接数据线(未绘示)，以便接收数据线所传送的显示数据DATA。而晶体管202的栅极用以耦接扫描线(未绘示)，以便接收扫描线所传送的扫描信号Gn，其中n为自然数，而Gn表示第n条扫描线所传送的扫描信号。此有机发光二极管像素电路200与前述像素148所示的有机发光二极管像素电路的不同之处在于，在有机发光二极管像素电路200中，用以决定通过有机发光二极管208的电流大小的晶体管206乃是一个P型晶体管，而在前述像素148所示的有机发光二极管像素电路中，用以决定通过有机发光二极管148-4的电流大小的晶体管148-3乃是一个N型晶体管。请继续参照图2，随着有机发光二极管208的老化，使得有机发光二极管208的跨压上升，进而迫使晶体管206的源极-漏极电压(即VSD)变小。而由于通过晶体管206的电流大小是与晶体管206的VSD电压成正比，因此在晶体管206的VSD电压变小的情况下，通过晶体管206的电流也会变小，进一步使得有机发光二极管208的亮度变低。如此一来，由于有机发光二极管208的老化现象会降低有机发光二极管208的亮度，导致显示画面同样会出现烙痕现象。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种有机发光二极管像素电路，其可改善显示画面的烙痕现象。本专利技术提出一种有机发光二极管像素电路，其包括有第一晶体管、电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管与有机发光二极管。所述的第一晶体管具有第一栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，且第一源/漏极接收显示数据。所述的电容具有第一端与第二端，且第一端耦接第二源/漏极。所述的第二晶体管具有第二栅极、第三源/漏极与第四源/漏极，且第二栅极耦接电容的第一端，而第四源/漏极耦接第一电源电压。所述的第三晶体管具有第三栅极、第五源/漏极与第六源/漏极，且第五源/漏极耦接电容的第二端，而第六源/漏极耦接第三源/漏极。所述的第四晶体管具有第四栅极、第七源/漏极与第八源/漏极，且第七源/漏极耦接电容的第二端，而第八源/漏极接收参考信号。至于所述的有机发光二极管，其阳极与阴极分别耦接第二电源电压与第三源/漏极。其中，第二电源电压大于第一电源电压。在上述的有机发光二极管像素电路的一较佳实施例中，在写入期间中，第一晶体管与第三晶体管各自依据其栅极信号而呈现导通，而第四晶体管则依据其栅极信号而呈现关闭；在发光期间中，第一晶体管与第三晶体管各自依据其栅极信号而呈现关闭，而第四晶体管则依据其栅极信号而呈现导通。其中，发光期间在写入期间之后。在上述的有机发光二极管像素电路的一较佳实施例中，所述的第四晶体管的第八源/漏极耦接第二电源电压，以将第二电源电压当作前述的参考信号。本专利技术还提出另一种有机发光二极管像素电路，其包括有第一晶体管、电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管与有机发光二极管。所述的第一晶体管具有第一栅极、第-->一源/漏极与第二源/漏极，且第一源/漏极接收显示数据。所述的电容具有第一端与第二端，且第一端耦接第二源/漏极。所述的第二晶体管具有第二栅极、第三源/漏极与第四源/漏极，且第二栅极耦接电容的第一端，而第三源/漏极耦接第一电源电压。所述的第三晶体管具有第三栅极、第五源/漏极与第六源/漏极，且第五源/漏极耦接电容的第二端，而第六源/漏极耦接第三源/漏极。所述的第四晶体管具有第四栅极、第七源/漏极与第八源/漏极，且第七源/漏极耦接电容的第二端，而第八源/漏极耦接第四源/漏极。至于所述的有机发光二极管，其阳极与阴极分别耦接第四源/漏极与第二电源电压。其中，第二电源电压小于第一电源电压。在上述的另一种有机发光二极管像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括：一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一源／漏极与一第二源／漏极，该第一源／漏极接收一显示数据；一电容，具有一第一端与一第二端，该第一端耦接该第二源／漏极；一第二晶体管，具有一第二栅极、一第三源／漏极与一第四源／漏极，该第二栅极耦接该电容的该第一端，该第四源／漏极耦接一第一电源电压；一第三晶体管，具有一第三栅极、一第五源／漏极与一第六源／漏极，该第五源／漏极耦接该电容的该第二端，该第六源／漏极耦接该第三源／漏极；一第四晶体管，具有一第四栅极、一第七源／漏极与一第八源／漏极，该第七源／漏极耦接该电容的该第二端，该第八源／漏极接收一参考信号；以及一有机发光二极管，其阳极与阴极分别耦接一第二电源电压与该第三源／漏极，其中该第二电源电压大于该第一电源电压。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括：一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一源/漏极与一第二源/漏极，该第一源/漏极接收一显示数据；一电容，具有一第一端与一第二端，该第一端耦接该第二源/漏极；一第二晶体管，具有一第二栅极、一第三源/漏极与一第四源/漏极，该第二栅极耦接该电容的该第一端，该第四源/漏极耦接一第一电源电压；一第三晶体管，具有一第三栅极、一第五源/漏极与一第六源/漏极，该第五源/漏极耦接该电容的该第二端，该第六源/漏极耦接该第三源/漏极；一第四晶体管，具有一第四栅极、一第七源/漏极与一第八源/漏极，该第七源/漏极耦接该电容的该第二端，该第八源/漏极接收一参考信号；以及一有机发光二极管，其阳极与阴极分别耦接一第二电源电压与该第三源/漏极，其中该第二电源电压大于该第一电源电压。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，在一写入期间中，该第一晶体管与该第三晶体管各自依据其栅极信号而呈现导通，而该第四晶体管则依据其栅极信号而呈现关闭，在一发光期间中，该第一晶体管与该第三晶体管各自依据其栅极信号而呈现关闭，而该第四晶体管则依据其栅极信号而呈现导通，其中该发光期间在该写入期间之后。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管与该第四晶体管皆以一N型晶体管来实现，且该第一栅极与该第三栅极皆耦接一扫描信号，而该第四栅极耦接该扫描信号的反相信号，其中在该写入期间中，该扫描信号为高电位，而该扫描信号的反相信号为低电位，在该发光期间中，该扫描信号为低电位，而该扫描信号的反相信号为高电位。4.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管皆以一N型晶体管来实现，而该第四晶体管则以一P型晶体管来实现，且该第一栅极、该第三栅极与该第四栅极皆耦接一扫描信号，其中在该写入期间中，该扫描信号为高电位，而在该发光期间中，该扫描信号为低电位。5.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，该第二晶体管与该第四晶体管皆以一N型晶体管来实现，而该第一晶体管与该第三晶体管则皆以一P型晶体管来实现，且该第一栅极、该第三栅极与该第四栅极皆耦接一扫描信号，其中在该写入期间中，该扫描信号为低电位，而在该发光期间中，该扫描信号为高电位。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，该第四晶体管的该第八源/漏极耦接该第二电源电压，以将该第二电源电压当作该参考信号。7.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括：一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一源/漏极与一第二源/漏极，该第一源/漏极接收一显示数据；一电容，具有一第一端与一第二端，该第一端耦接该第二源/漏极；一第二晶体管，具有一第二栅极、一第三源/漏极与一第四源/漏极，该第二栅极耦接该电容的该第一端，该第三源/漏极耦接一第一电源电压；一第三晶体管，具有一第三栅极、一第五源/漏极与一第六源/漏极，该第五源/漏极耦接该电容的该第二端，该第六源/漏极耦接该第三源/漏极；一第四晶体管，具有一第四栅极、一第七源/漏极与一第八源/漏极，该第七源/漏极耦接该电容的该第二端，该第八源/漏极耦接该第四源/漏极；以及一有机发光二极管，其阳极与阴极分别耦接该第四源/漏极与一第二电源电压，其中该第二电源电压小于该第一电源电压。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，在一写入期间中，该第一晶体管与该第四晶体管各自依据其栅极信号而呈现导通，而该第三晶体管则依据其栅极信号而呈现关闭，在一发光期间中，该第一晶体管与...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗廷，吴元均，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71