【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在第1器件晶片上粘贴第2器件晶片而制造层叠器件芯片的层叠器件芯片的制造方法。
技术介绍
1、在搭载于电子设备的器件芯片中，近年来，出于节省向规定的安装对象安装该器件芯片时的安装面积、降低soc(system-on-a-chip：片上系统，系统芯片)中的消耗电力等目的，将多个芯片层叠而收纳于一个封装中。以往，将半导体晶片被分割而形成的多个芯片层叠，通过引线接合相互连接。但是，需要用于接线的区域，相应地必须增大封装。
2、因此，开发了如下的技术：除了芯片另外准备基板，在该基板上形成沿着厚度方向的贯通电极，在芯片间配设该基板而将各芯片间利用贯通电极进行连接。另外，配设于芯片间的基板被称为中介层(interposer)，通过形成于基板的贯通电极将上下的芯片连接的技术被称为tsv(through-silicon via：硅通孔)。该基板例如使用硅基板。tsv的布线长度比导线短，因此布线电阻和电感极低，消耗电力也能够大幅降低。
3、另外，层叠器件芯片也可以利用其他方法形成。例如在支承基板上并列地配置多个芯片，将芯片用树脂密封而形成临时晶片，然后从树脂侧对临时晶片进行磨削而薄化，将该临时晶片贴合于器件晶片，由此形成贴合晶片。并且，在将支承基板去除之后，将芯片的器件与器件晶片的器件利用贯通电极进行连接(参照专利文献1)。
4、作为其他方法，例如在器件晶片上配置多个芯片，将多个芯片用树脂包覆之后进行平坦化。然后将器件晶片的器件与芯片的器件利用电极进行连接(参照专利文献2)。
5、另外，
6、专利文献1：日本特开2012-134231号公报
7、专利文献2：日本特开2015-233049号公报
8、近年来，伴随搭载器件芯片的电子设备的小型化、薄型化，要求半导体器件封装进一步的小型化、薄型化。作为将多个器件聚集于一个封装的方法之一，已知有将预先薄化的芯片沿纵方向层叠而进行安装的三维安装技术。但是，芯片越薄操作越困难。因此，存在如下的问题：为了应对稳定地实施搬送作业和贴合作业的要求，无法使各芯片成为10μm以下的极薄的厚度。
技术实现思路
1、本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供层叠器件的制造方法，能够容易且稳定地制造包含极薄化的芯片的层叠器件芯片。
2、根据本专利技术的一个方式，提供层叠器件芯片的制造方法，该层叠器件芯片层叠有多个器件芯片，其特征在于，该层叠器件芯片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备第1器件晶片、第2器件晶片以及支承基板，其中，该第1器件晶片在正面上设定有相互交叉的多条第1分割预定线且在由该第1分割预定线划分的各区域内形成有第1器件，该第2器件晶片在正面上设定有相互交叉的多条第2分割预定线且在由该第2分割预定线划分的各区域内形成有第2器件；一体化步骤，在该第1器件晶片的该正面上贴合该支承基板而进行一体化；薄化步骤，在该一体化步骤之后，从背面侧对该第1器件晶片进行加工而薄化至规定的厚度；切断步骤，沿着该第1分割预定线形成切断槽而将该第1器件晶片切断；粘贴步骤，将切断的该第1器件晶片粘贴于该第2器件晶片；剥离步骤，从切断的该第1器件晶片剥离该支承基板；以及分割步骤，将该第2器件晶片沿着该第2分割预定线进行分割，由此形成各个层叠器件芯片。
3、优选在该一体化步骤中，通过粘接材料将该支承基板粘贴于该第1器件晶片，在该剥离步骤中，使该粘接材料的粘接力降低，从该第1器件晶片剥离该支承基板。
4、或者，优选在该一体化步骤中，通过粘接材料将该支承基板粘贴于该第1器件晶片，在该切断步骤中，将该支承基板与该第1器件晶片一起完全切断而形成芯片，在该粘贴步骤中，将该芯片从该第1器件晶片侧载置于该第2器件晶片，然后在该支承基板上粘贴带，在该剥离步骤中，透过该带和该支承基板而对该粘接材料照射激光束，使该粘接材料的粘接力降低，从该第1器件晶片将该支承基板连同该带一起剥离。
5、或者，优选在该一体化步骤中，通过热塑性粘接材料将该支承基板粘贴于该第1器件晶片，在该切断步骤中，将该支承基板与该第1器件晶片一起完全切断而形成芯片，在该粘贴步骤中，将该芯片从该第1器件晶片侧载置于该第2器件晶片，然后通过热硬化性粘接材料将回收用基板粘贴于该支承基板，在该剥离步骤中，对该热塑性粘接材料进行加热而使该热塑性粘接材料的粘接力降低，从该第1器件晶片将该支承基板连同该回收用基板一起剥离。
6、另外，优选在该剥离步骤之后且在该分割步骤之前，将不与该第1器件晶片重叠而与该第2器件晶片重叠的区域利用密封树脂密封。
7、在本专利技术的一个方式的层叠器件芯片的制造方法中，在将第1器件晶片贴合于支承基板的状态下进行薄化并切断。接着，将切断的第1器件晶片贴合于第2器件晶片，然后从第1器件晶片剥离支承基板。
8、在该情况下，在贴合于第2器件晶片之前的期间，已被切断的极薄的第1器件晶片支承于支承基板，因此极薄的第1器件晶片的操作变得容易。因此，将极薄的第1器件晶片容易且稳定地贴合于第2器件晶片。另外，在从极薄的第1器件晶片剥离支承基板时，第1器件晶片支承于第2器件晶片，因此支承基板的剥离也容易。
9、即，无论第1器件晶片如何薄化，都始终支承于支承基板或第2器件晶片，因此第1器件晶片的薄化作业、搬送作业、向第2器件晶片的贴合作业容易。并且，在贴合于第2器件晶片之前沿着第1分割预定线将第1器件晶片切断，因此通过将第2器件晶片分割而能够制造各个层叠器件芯片。
10、因此，根据本专利技术的一个方式，提供层叠器件的制造方法，能够容易且稳定地制造包含极薄化的芯片的层叠器件芯片。
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1.一种层叠器件芯片的制造方法，该层叠器件芯片层叠有多个器件芯片，
2.根据权利要求1所述的层叠器件芯片的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的层叠器件芯片的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的层叠器件芯片的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的层叠器件芯片的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种层叠器件芯片的制造方法，该层叠器件芯片层叠有多个器件芯片，
2.根据权利要求1所述的层叠器件芯片的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的层叠器件芯片...
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