System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体封装件制造技术_技高网

半导体封装件制造技术

技术编号:40582038 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-06 17:25
提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:重分布线结构,包括多个重分布线图案;第一半导体芯片和第二半导体芯片,在重分布线结构上并且彼此间隔开;桥接结构,在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间,并且包括被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片的多个连接布线图案;以及模制层,围绕桥接结构的侧壁并且填充在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间,其中,多个连接布线图案的最下表面在多个重分布线图案的最上表面上方。

【技术实现步骤摘要】

公开涉及一种半导体封装件


技术介绍

1、提供了一种半导体封装件以实现集成电路芯片,从而有资格在电子产品中使用。半导体封装件通常被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板(pcb)上,并且接合线或凸块用于将半导体芯片电连接到pcb。随着电子工业的发展,已经研究了用于改善半导体封装的可靠性并减小半导体封装的尺寸的各种技术。

2、对于包括多个半导体芯片的半导体封装件,半导体封装件覆盖的半导体芯片越多,半导体封装件的尺寸越大。随着半导体封装件的尺寸变大,半导体封装件可能易受由于构成半导体封装件的各个组件之间的热膨胀系数不匹配而产生的应力的影响。这种应力可能导致诸如半导体封装件中的裂纹的缺陷,从而降低半导体封装件的可靠性。


技术实现思路

1、公开的方面提供了一种具有改善的产品可靠性的半导体封装件。

2、然而,公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的公开的详细描述,公开的以上和其他方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更明显。

3、根据公开的一方面,一种半导体封装件包括:重分布线结构,包括多个重分布线图案;第一半导体芯片和第二半导体芯片,在重分布线结构上并且彼此间隔开;桥接结构,在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间,桥接结构包括被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片的多个连接布线图案;以及模制层,围绕桥接结构的侧壁并且填充在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间,其中,多个连接布线图案的最下表面在多个重分布线图案的最上表面上方。

4、根据公开的一方面,一种半导体封装件包括:模制层,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,模制层包括在第一表面上的第一沟槽和第二沟槽以及在第二表面上的第三沟槽;重分布线结构,在模制层的第二表面上;第一半导体芯片,在第一沟槽中;第一柱,在模制层中,被配置为将第一半导体芯片电连接到重分布线结构;第二半导体芯片,在第二沟槽中;第二柱,在模制层中,被配置为将第二半导体芯片电连接到重分布线结构;桥接结构,在第三沟槽中;以及连接柱,在模制层中,与第一半导体芯片和桥接结构接触,并且与第二半导体芯片和桥接结构接触。

5、根据公开的一方面,一种半导体封装件包括:重分布线结构;第一半导体芯片,在重分布线结构上;第二半导体芯片,在重分布线结构上在第一半导体芯片的一侧上;第三半导体芯片,在重分布线结构上在第一半导体芯片的另一侧上;第一桥接结构,在重分布线结构与第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一区域中,被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片;第二桥接结构,在重分布线结构与第一半导体芯片和第三半导体芯片之间的第二区域中,被配置为将第一半导体芯片电连接到第三半导体芯片;以及模制层,在重分布线结构上,被配置为填充在第一区域和第二区域中,并且在第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片中的相邻半导体芯片之间,其中,第一桥接结构和第二桥接结构与重分布线结构绝缘。

6、应当注意的是,公开的效果不限于上述效果,并且根据以下描述,公开的其他效果将是明显的。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括连接柱,连接柱被配置为将第一半导体芯片电连接到桥接结构并且将第二半导体芯片电连接到桥接结构。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,连接柱与第一半导体芯片和桥接结构接触,并且与第二半导体芯片和桥接结构接触。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,连接柱穿透模制层。

5.根据权利要求2所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片、第二半导体芯片与桥接结构之间的粘合层,

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片上的虚设芯片,

7.根据权利要求6所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片与虚设芯片之间的粘合膜。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接布线图案的最小间距小于所述多个重分布线图案的最小间距。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接布线图案的最小宽度小于所述多个重分布线图案的最小宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片包括与桥接结构叠置的第一物理区域,

11.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,第一柱、第二柱和连接柱包括相同的材料。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,重分布线结构包括多个重分布线图案,

14.根据权利要求11所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括围绕连接柱的粘合膜。

15.根据权利要求11所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片上的虚设芯片,

16.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,第一柱与第一半导体芯片和重分布线结构接触,并且

17.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

18.根据权利要求17所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片包括逻辑半导体芯片,并且

19.根据权利要求17所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

20.根据权利要求17所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括连接柱,连接柱被配置为将第一半导体芯片电连接到桥接结构并且将第二半导体芯片电连接到桥接结构。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,连接柱与第一半导体芯片和桥接结构接触,并且与第二半导体芯片和桥接结构接触。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,连接柱穿透模制层。

5.根据权利要求2所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片、第二半导体芯片与桥接结构之间的粘合层,

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片上的虚设芯片,

7.根据权利要求6所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在第一半导体芯片与虚设芯片之间的粘合膜。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接布线图案的最小间距小于所述多个重分布线图案的最小间距。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接布线图案的最小宽度小于所述多个重分布线图案的最...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑显秀金泳龙黄仁孝
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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