【技术实现步骤摘要】
本公开涉及三维制程，尤其涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、hbm存储器(high bandwidth memory)是一种基于3d堆栈工艺的高性能dram内存，与传统内存技术相比，hbm存储器具有更高带宽、更多i/o数量、更低功耗、更小尺寸，可应用于高性能计算、超级计算机、大型数据中心、人工智能/深度学习、云计算等领域。
2、hbm存储器技术主要是基于对处理器计算规模需求发展而来，在早期时候，人们对计算机数据处理要求不高，处理器架构模型层数较少，计算规模较小，算力也较低；后随着ai等技术的发展，对处理器要求越来越高，模型加深对算力需求相应增加，导致了带宽瓶颈，即i/o问题，此时通过增大片内缓存、优化调度模型来增加数据复用率等方式解决；但后期随着ai等技术普及，用户量增多，云端ai处理需求多用户、高吞吐、低延迟、高密度部署，计算单元剧增使i/o瓶颈愈加严重，此时，片上hbm存储器出现使ai/深度学习完全放到片上成为可能，集成度提升的同时，使带宽不再受制于芯片引脚的互联数量，从而在一定程度上解决了带宽和计算能力瓶颈。但是随着hbm存储器的集成度要求增高，芯片堆叠层数越来越多，技术难点也越来越多。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体封装结构及其制备方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：
3、第一半导体芯片，所述第一半导体芯片内形成有第一无线通信模块；
4、第二半导体芯片
5、所述第一半导体芯片内的第一无线通信模块和所述第一芯片堆叠结构内的第二无线通信模块对应设置，所述第一芯片堆叠结构内的第三无线通信模块与所述第二芯片堆叠结构内的第四无线通信模块对应设置。
6、在一些实施例中，所述第二半导体芯片堆叠结构在沿第一方向的一侧形成有多个第二导电凸块；
7、所述半导体封装结构还包括：
8、第一基板；所述第一半导体芯片与所述第一基板通过第一导电凸块连接；
9、第二基板，所述第二基板内的信号线与所述第二导电凸块连接；沿所述第二方向，所述第二基板靠近所述第一基板的一侧形成有第三导电凸块，所述第二基板与所述第一基板通过所述第三导电凸块连接。
10、在一些实施例中，所述第一无线通信模块包括多个第一子模块，多个所述第一子模块沿第三方向设置于所述第一半导体芯片内，所述第三方向为平行于所述第一半导体芯片的平面的方向，且与所述第一方向成一夹角，所述夹角大于25°且小于65°。
11、在一些实施例中，所述第二无线通信模块包括多个第二子模块，所述第三无线通信模块包括多个第三子模块，所述第四无线通信模块包括多个第四子模块；所述第一芯片堆叠结构的每个所述第二半导体芯片内包括至少一个第二子模块和至少一个第三子模块，所述第二芯片堆叠结构的每个第二半导体芯片内包括至少一个第四子模块。
12、在一些实施例中，所述第二半导体芯片堆叠结构包括沿第二方向堆叠的n个第一芯片堆叠结构，n是大于或等于1的整数。
13、在一些实施例中，所述第一半导体芯片包括逻辑芯片，所述第二半导体芯片堆叠结构包括dram芯片。
14、在一些实施例中，还包括：
15、粘附膜，位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片堆叠结构之间。
16、在一些实施例中，所述第一基板内形成有凹槽，所述第一半导体芯片位于所述凹槽内。
17、在一些实施例中，所述第一半导体芯片位于所述第一基板上，所述第一导电凸块位于所述第一半导体芯片和所述第一基板之间。
18、在一些实施例中，还包括：
19、多个硅通孔，所述硅通孔沿第一方向贯穿所述第二半导体芯片；
20、多个第四导电凸块，位于相邻两个所述第二半导体芯片之间，且与所述硅通孔对应连接。
21、在一些实施例中，所述信号线包括接地线和电源线，所述第二导电凸块包括第一子导电凸块和第二子导电凸块；
22、所述接地线与所述第一子导电凸块电连接，所述电源线与所述第二子导电凸块电连接。
23、在一些实施例中，相邻两个第二子导电凸块之间至少间隔一个第一子导电凸块，所述第一子导电凸块包围所述第二子导电凸块。
24、在一些实施例中，还包括：
25、填充层，位于所述第二半导体芯片堆叠结构与所述第二基板之间，和/或，所述第一半导体芯片和所述第一基板之间。
26、根据本公开实施例的第二方面，提供了一种如上述实施例中任一项所述的半导体封装结构的制备方法，包括：
27、形成第一芯片堆叠结构；所述第一芯片堆叠结构包括多个沿第一方向依次堆叠的第二半导体芯片；在所述第一芯片堆叠结构的沿第二方向的两侧分别形成第二无线通信模块和第三无线通信模块；
28、形成第一半导体芯片，在所述第一半导体芯片内形成第一无线通信模块；
29、将所述第一芯片堆叠结构形成有第二无线通信模块的表面放置于所述第一半导体芯片上；
30、形成第二芯片堆叠结构，所述第二芯片堆叠结构包括多个沿第一方向依次堆叠的第二半导体芯片；在所述第二芯片堆叠结构的沿第二方向的一侧内形成第四无线通信模块；
31、将所述第二芯片堆叠结构形成有第四无线通信模块的一侧表面放置于所述第一芯片堆叠结构上；所述第一方向为平行于所述第一半导体芯片的平面的方向，所述第二方向为垂直于所述第一半导体芯片的平面的方向；其中，
32、所述第一半导体芯片内的第一无线通信模块和所述第一芯片堆叠结构内的第二无线通信模块对应设置，所述第一芯片堆叠结构内的第三无线通信模块与所述第二芯片堆叠结构内的第四无线通信模块对应设置。
33、在一些实施例中，还包括：
34、在所述第一半导体芯片的远离所述第一芯片堆叠结构的一侧表面形成第一导电凸块；
35、在所述第一芯片堆叠结构和所述第二芯片堆叠结构的沿第一方向的一侧形成多个第二导电凸块；
36、在形成第二芯片堆叠结构后，提供第二基板；所述第二基板内的信号线与所述第二导电凸块连接；沿第二方向，在所述第二基板靠近所述第一半导体芯片的一侧形成第三导电凸块；
37、提供第一基板；将所述第一半导体芯片通过第一导电凸块与所述第一基板连接，以及将所述第二基板通过第三导电凸块与所述第一基板连接。
38、本公开本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，
13.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
14.一种如权利要求1-13中任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
15.根据权
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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