【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件、所述光电器件的制备方法、以及包括所述光电器件的显示装置。
技术介绍
1、光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机发光二极管(oled)或量子点发光二极管(qled)。
2、传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
3、zno纳米颗粒由于具有高的电子迁移率和空穴阻挡特性，被认为是最受欢迎的用于制备高效qled的电子传输层的材料之一。然而，目前采用低温溶液法或者溶胶凝胶法制备的zno纳米颗粒的结晶度较低，内部缺陷和表面缺陷多，易形成电子捕获中心及激子复合中心，而导致载流子淬灭，影响电子传输层的传输效率，导致器件效率较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件，旨在改善现有的光电器件效率低的问题。
2、本申请实施例是这样实现的，一种光电器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，所述电子传输层的材料包括核壳结构纳米片，所述核壳结构纳米片的核为zno纳米片，所述核壳结构纳米片的壳为mgo层。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料由所述核壳结构纳米片组
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述zno纳米片的直径为20～100nm；和/或
5、所述zno纳米片的厚度为6～10nm；和/或
6、所述纳米片为六角形纳米片。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述mgo层的厚度为6～8nm；和/或
8、所述电子传输层的厚度为20～60nm。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极选自掺杂金属氧化物电极、复合电极或碳硅电极，其中，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns，所述硅碳电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；和/或
10、所述发光层为有机发光层或量子点发光层，其中，所述有机发光层的材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses及zns中的至少一种；和/或
11、所述阴极的材料选自ag、al、au、pt、ca及ba中的至少一种。
12、相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，包括：
13、提供阳极；
14、在所述阳极上形成发光层；
15、提供核壳结构纳米片，其中，所述核壳结构纳米片的核为zno纳米片，所述核壳结构纳米片的壳为mgo层，将所述核壳结构纳米片设置在所述发光层上，得到电子传输层；以及
16、在所述电子传输层上形成阴极，得到光电器件；
17、或者，
18、提供阴极；
19、提供核壳结构纳米片，其中，所述核壳结构纳米片的核为zno纳米片，所述核壳结构纳米片的壳为mgo层，将所述核壳结构纳米片设置在所述阴极上，得到电子传输层；以及
20、在所述电子传输层上形成发光层及阳极，得到光电器件。
21、可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳结构纳米片通过以下方法制得：
22、提供第一锌盐及第一溶剂，混合，得到第一锌盐溶液；
23、向所述第一锌盐溶液中加入第一碱性溶液，得到混合溶液；
24、向所述混合溶液中加入柠檬酸盐，超声，形成zno晶核，得到前体溶液；
25、向所述前体溶液中加入第二锌盐溶液和第二碱性溶液，陈化，得到zno纳米片；
26、将所述zno纳米片加入第二溶剂中，得到zno纳米片溶液；
27、向所述zno纳米片溶液中加入镁盐溶液及第三碱性溶液，得到所述核壳结构纳米片。
28、可选的，在本申请的一些实施例中，所述超声的温度为60～100℃；和本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于，所述电子传输层的材料包括核壳结构纳米片，所述核壳结构纳米片的核为ZnO纳米片，所述核壳结构纳米片的壳为MgO层。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料由所述核壳结构纳米片组成。
3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，
4.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述MgO层的厚度为6～8nm；和/或
5.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，
6.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述核壳结构纳米片通过以下方法制得：
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，向所述ZnO纳米片溶液中加入镁盐溶液及第三碱性溶液之后还包括：
10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
11.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
12.如权利要求
13.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～5任意一项所述的光电器件，或者，所述显示装置包括由权利要求6～14任意一项所述的制备方法制得的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种光电器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于，所述电子传输层的材料包括核壳结构纳米片，所述核壳结构纳米片的核为zno纳米片，所述核壳结构纳米片的壳为mgo层。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料由所述核壳结构纳米片组成。
3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，
4.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述mgo层的厚度为6～8nm；和/或
5.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，
6.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述核壳结构纳米片通过以下方法制...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭恕，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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