【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工,尤其涉及一种晶圆修边处理设备及晶圆修边处理方法。
技术介绍
1、随着3d ic(3d堆叠芯片)技术的不断发展,需要堆叠的晶圆数量越来越多。相邻两片晶圆进行堆叠时,如果边缘不平整易导致晶圆合并不够紧密,后续晶圆研磨减薄(grinding)工序中容易产生裂纹或碎片,严重影响品质及良率。为避免上述情况的发生,在两片晶圆进行合并之前先对其中一片晶圆进行修边(trim)处理,即用特殊的研磨刀轮将晶圆的边缘磨削凹陷处理,形成台阶槽。
2、晶圆在修边处理时,需要使用刀轮对晶圆的外缘进行切削,现有的晶圆修边设备的刀轮在切削晶圆的过程中会被不断磨损,导致刀轮的外径逐渐减小,同时在切削开始之前,现有的晶圆修边设备需要对晶圆进行多次试切削并检测切削深度,以保证晶圆与旋转平台是否同心;此外,由于受晶圆制造工艺水平的限制,晶圆也存在各处厚度不均的情况,现有的晶圆修边设备无法精准调,容易造成台阶槽厚度不一致的情况,严重影响了晶圆的修边质量和加工良率。
技术实现思路
1、本专利技术
...【技术保护点】
1.晶圆修边处理设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述晶圆载台(2)上开设有吸附孔,所述吸附孔内能够形成负压,以使所述晶圆(100)贴紧在所述晶圆载台(2)上。
3.根据权利要求1所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述刀轮检测单元(5)包括对射传感器(51),所述对射传感器(51)用于检测所述刀轮(3)的遮光率。
4.根据权利要求3所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述刀轮检测单元(5)还包括冲洗组件(52),所述冲洗组件(52)用于向所述对射传感器(51)喷洒冲洗水流。
【技术特征摘要】
1.晶圆修边处理设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述晶圆载台(2)上开设有吸附孔,所述吸附孔内能够形成负压,以使所述晶圆(100)贴紧在所述晶圆载台(2)上。
3.根据权利要求1所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述刀轮检测单元(5)包括对射传感器(51),所述对射传感器(51)用于检测所述刀轮(3)的遮光率。
4.根据权利要求3所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述刀轮检测单元(5)还包括冲洗组件(52),所述冲洗组件(52)用于向所述对射传感器(51)喷洒冲洗水流。
5.根据权利要求1所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述直线运动单元还包括x轴运动模组(10),所述x轴运动模组(10)设置在所述龙门架(1)上,所述z轴运动模组(9)设置在所述x轴运动模组(10)上,所述x轴运动模组(10)能够带动所述z轴运动模组(9)沿x轴移动。
6.根据权利要求5所述的晶圆修边处理设备,其特征在于,所述晶圆厚度检测单元(6)包括测距传感器(61),所述测距传感器(61)设置在所述x轴运动模组(10)...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱松,万先进,田鑫,谢亚楠,钱宇强,梁志远,张怀东,杨磊,边逸军,
申请(专利权)人:宁波芯丰精密科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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