晶圆修边设备及其控制方法技术

本发明专利技术属于半导体加工技术领域，公开了一种晶圆修边设备及其控制方法。晶圆修边设备包括工作台、晶圆载台和切削机构。晶圆载台包括承载本体和真空吸附结构，所述承载本体绕自身轴线可转动设置于所述工作台，所述承载本体呈中间具有通孔的环圈状，所述真空吸附结构凹陷开设于所述承载本体的上表面且沿所述承载本体的周向设置，所述真空吸附结构被配置为对晶圆的边缘进行真空吸附；切削机构设置于所述工作台，所述切削机构包括刀轮，所述刀轮能够绕自身轴线转动以对所述晶圆载台上的晶圆进行修边。本发明专利技术避免了现有技术中更换刀轮时需要适应性更换晶圆载台的操作，也无需重新调整相关参数，提高晶圆的加工效率，并保证晶圆的加工质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种晶圆修边设备及其控制方法。

技术介绍

1、晶圆修边是半导体制造过程中用于处理晶圆边缘的一项关键技术，主要目的是改善晶圆边缘的质量，防止碎片和缺陷影响后续工艺或设备，保障制程和产品的可靠性。一般采用晶圆修边设备对晶圆进行修边处理。在对晶圆进行修边处理时，晶圆被吸附在晶圆修边设备的晶圆载台上。由晶圆修边设备的转轴驱动研磨刀轮沿着晶圆的边缘对晶圆进行磨削加工。晶圆载台的中间位置设置有沉槽，沉槽内设置有能够驱动晶圆升降的升降机构；在晶圆载台的上表面沿沉槽的周向设置有吸嘴，吸嘴连接外边真空泵，当晶圆放置在吸嘴上时，吸嘴能够对晶圆进行真空吸附。

2、研磨刀轮的厚度具有多个不同规格。在对晶圆进行研磨的过程中，会出现需要更换刀轮的情况。在将薄刀轮更换为厚刀轮时，由于厚刀轮对晶圆进行磨削加工时，晶圆边缘的薄面宽度较大，晶圆边缘的薄面强度不够后容易产生卷曲。在将厚刀轮更换为薄刀轮时，由于晶圆载台中间的沉槽的直径较大，晶圆载台的沉槽所对应的部分晶圆为悬空状态，当薄刀轮磨削到悬空的部分晶圆时，晶圆容易因为局部压力太大而发生破片。故本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.晶圆修边设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述工作台(1)上设置有至少两个所述晶圆载台(42)，每一所述晶圆载台(42)均能够沿Y向往复移动。

3.根据权利要求1所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述真空吸附结构(422)包括气孔(4221)，所述承载本体(421)内设置有与所述气孔(4221)连通的环形腔道，所述环形腔道被配置为与真空泵连通。

4.根据权利要求3所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述真空吸附结构(422)包括多个所述气孔(4221)，沿所述承载本体(421)的周向，多个所述气孔(4221)依次...

【技术特征摘要】

1.晶圆修边设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述工作台(1)上设置有至少两个所述晶圆载台(42)，每一所述晶圆载台(42)均能够沿y向往复移动。

3.根据权利要求1所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述真空吸附结构(422)包括气孔(4221)，所述承载本体(421)内设置有与所述气孔(4221)连通的环形腔道，所述环形腔道被配置为与真空泵连通。

4.根据权利要求3所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述真空吸附结构(422)包括多个所述气孔(4221)，沿所述承载本体(421)的周向，多个所述气孔(4221)依次间隔设置。

5.根据权利要求1所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述真空吸附结构(422)呈连续的凹槽结构，所述凹槽结构包括沿所述承载本体(421)的周向依次连接的多个分槽体，所述分槽体呈弧状或者锯齿状。

6.根据权利要求1所述的晶圆修边设备，其特征在于，所述工作台(1)上设置有两个所述晶圆载台(42)，每一所述晶圆载台(42)均能够沿y向往复移动，所述切削机构(3)包括两个所述刀轮(32)，其中一个所述晶圆载台(42)移动至修...

【专利技术属性】
技术研发人员：万先进，朱松，肖江锋，杨正旭，锁志勇，向毅，秦宝宏，
申请(专利权)人：宁波芯丰精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：